一种含有联三吡啶结构的芳香二胺及其合成方法

    公开(公告)号:CN108530344B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201810536786.7

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种含有联三吡啶结构的二胺及其合成方法,本发明所制备的含联三吡啶单元的二胺是一类新型的含三联吡啶单元的二胺单体,作为含氮杂环和脂肪链的单体,相比类似的含苯环的单体,为聚合得到的PI带来了更加显著的性能的改善,包括显著提高了聚合物的柔韧性,保持了聚合物优异的热学及力学性能,且显著改善了聚合物的介电性。总之,本发明的芳香二胺更加有益于改善聚酰亚胺和聚酰胺的应用加工性能及拓展其应用领域。

    高介电常数的CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111875798A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010764045.1

    申请日:2020-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种高介电常数的CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜及其制备方法。采用一种简便的方法合成高质量的CsPbX3钙钛矿粉末,在DMF溶剂中溶解得到CsPbBr3/DMF溶液;在CsPbBr3/DMF溶液中加入GO/DMF分散液,超声分散,然后加入到PAA预聚体溶液中,再将共混溶液经过涂膜,经过热亚胺化,得到CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜。与现有技术相比,本发明的CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜具有更高的介电常数(122~230),而且保持着聚酰亚胺优异的热学及力学性能。均匀分散在聚酰胺酸膜中的钙钛矿,在热亚胺化过程中重新结晶,形成纳米CsPbBr3/rGO颗粒,粒径为10~600纳米,提高了其介电常数。

    一种含有联三吡啶结构的芳香二酸及其合成方法

    公开(公告)号:CN108586323A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810536769.3

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种含有联三吡啶结构的芳香二酸及其合成方法。本发明的含三联吡啶单元的二酸是一类新型的芳香二酸单体,一方面,含联三吡啶单元的芳香二酸可以作为一种新的配体合成特殊结构的有机金属框架(MOF),制备新的有机无机材料。另一方面,含三联吡啶单元的芳香二酸作为一种新的单体,可以制备含联三吡啶单元的聚酯和聚酰胺等高分子化合物,可以跟许多的过渡金属以及稀土金属络合形成高分子络合物,使得此类高分子络合物不仅仅具有联三吡啶络合物性能即有独特的磁、光物理和电化学性质,也具有高分子优异的热学性能、机械性能等。

    高介电常数的CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111875798B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202010764045.1

    申请日:2020-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种高介电常数的CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜及其制备方法。采用一种简便的方法合成高质量的CsPbX3钙钛矿粉末,在DMF溶剂中溶解得到CsPbBr3/DMF溶液;在CsPbBr3/DMF溶液中加入GO/DMF分散液,超声分散,然后加入到PAA预聚体溶液中,再将共混溶液经过涂膜,经过热亚胺化,得到CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜。与现有技术相比,本发明的CsPbX3/rGO/聚酰亚胺复合膜具有更高的介电常数(122~230),而且保持着聚酰亚胺优异的热学及力学性能。均匀分散在聚酰胺酸膜中的钙钛矿,在热亚胺化过程中重新结晶,形成纳米CsPbBr3/rGO颗粒,粒径为10~600纳米,提高了其介电常数。

    一种高介电常数的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN108659221B

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN201810536700.0

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种高储能的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法。过渡金属离子数与联三吡啶结构单元数比值为1:2,本发明与现有技术相比,聚酰亚胺络合物具有更高的介电常数40~140(100Hz),其介电损耗小于0.04,本发明用含联三吡啶单元的聚酰胺酸溶液与过渡金属盐或盐溶液易络合,涂膜,然后亚胺化成聚酰亚胺络合物,克服了高介电常数聚酰亚胺复合材料中分布不均匀、与聚酰亚胺基体不相容性以及机械柔韧性降低等不足。本发明制备的含联三吡啶单元的聚酰亚胺络合物相比对应的含联三吡啶单元的聚酰亚胺,其热学性能和力学性能都得到大幅度提高。

    高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111925540A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010764039.6

    申请日:2020-08-01

    Abstract: 本发明公开了高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜及其制备方法。采用一种简便的方法合成高质量的CsPbBr3钙钛矿粉末,并溶解于DMF溶剂中得到CsPbBr3/DMF溶液;然后通过溶液共混制备不同比例的CsPbBr3/PAA前驱体,再将共混溶液经过涂膜加热,涂膜,经过热亚胺化得到纳米钙钛矿CsPbBr3/聚酰亚胺复合膜。与现有技术相比,本发明的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜具有更高的介电常数(4.03~11.5),而且保持着聚酰亚胺优异的热学及力学性能。均匀分散在聚酰胺酸膜中的钙钛矿,在热亚胺化过程中重新结晶,形成纳米钙钛矿,为20~600纳米,提高了其介电常数。

    一种高介电常数的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN108659221A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810536700.0

    申请日:2018-05-30

    CPC classification number: C08G73/1067 C08J5/18 C08J2379/08

    Abstract: 本发明公开了一种高介电常数的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法。过渡金属离子数与联三吡啶结构单元数比值为1:2~1:8。本发明与现有技术相比,聚酰亚胺络合物具有更高的介电常数40~140(100Hz),其介电损耗小于0.04。本发明用含联三吡啶单元的聚酰胺酸溶液与过渡金属盐或盐溶液易络合,涂膜,然后亚胺化成聚酰亚胺络合物,克服了高介电常数聚酰亚胺复合材料中分布不均匀、与聚酰亚胺基体不相容性以及机械柔韧性降低等不足。本发明制备的含联三吡啶单元的聚酰亚胺络合物相比对应的含联三吡啶单元的聚酰亚胺,其热学性能和力学性能都得到大幅度提高。

    一种含有联三吡啶结构的芳香二酸及其合成方法

    公开(公告)号:CN108586323B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN201810536769.3

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种含有联三吡啶结构的芳香二酸及其合成方法。本发明的含三联吡啶单元的二酸是一类新型的芳香二酸单体,一方面,含联三吡啶单元的芳香二酸可以作为一种新的配体合成特殊结构的有机金属框架(MOF),制备新的有机无机材料。另一方面,含三联吡啶单元的芳香二酸作为一种新的单体,可以制备含联三吡啶单元的聚酯和聚酰胺等高分子化合物,可以跟许多的过渡金属以及稀土金属络合形成高分子络合物,使得此类高分子络合物不仅仅具有联三吡啶络合物性能即有独特的磁、光物理和电化学性质,也具有高分子优异的热学性能、机械性能等。

    高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111925540B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202010764039.6

    申请日:2020-08-01

    Abstract: 本发明公开了高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜及其制备方法。采用一种简便的方法合成高质量的CsPbBr3钙钛矿粉末,并溶解于DMF溶剂中得到CsPbBr3/DMF溶液;然后通过溶液共混制备不同比例的CsPbBr3/PAA前驱体,再将共混溶液经过涂膜加热,涂膜,经过热亚胺化得到纳米钙钛矿CsPbBr3/聚酰亚胺复合膜。与现有技术相比,本发明的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜具有更高的介电常数(4.03~11.5),而且保持着聚酰亚胺优异的热学及力学性能。均匀分散在聚酰胺酸膜中的钙钛矿,在热亚胺化过程中重新结晶,形成纳米钙钛矿,为20~600纳米,提高了其介电常数。

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