一种发光材料及其制备方法和包含该发光材料的发光器件

    公开(公告)号:CN116987504B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202310897330.4

    申请日:2023-07-21

    IPC分类号: C09K11/70 C09K11/71 H01L33/50

    摘要: 本发明公开一种发光材料及其制备方法和包含该发光材料的发光器件,发光材料以化学式MaNbPxOy:zCr3+,cLn表示,其中M元素选自Li、Na、K、Rb、Cs、Zn、Mg、Ca、Sr及Ba中的一种或多种,N元素选自Al、Ga、Sc、In、Fe、Mn、Ti、Zr、V、Sb及B中的一种或多种,Cr3+为发光中心离子,Ln为稀土元素,a、b、x和y均为元素的最简化学计量数,发光器件包括荧光转换层和LED半导体芯片,且荧光转换层载置于LED半导体芯片上;本发明的发光材料能够实现可见至近红外600~1100nm范围内的发光,具有高的发光稳定性、发光量子产率和耐候性,进一步拓宽其应用领域。

    一种近红外发光材料、其制备方法及含该材料的LED光源

    公开(公告)号:CN116751588B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202310769509.1

    申请日:2023-06-28

    IPC分类号: C09K11/70 C09K11/81 H01L33/50

    摘要: 本发明公开了一种近红外发光材料、其制备方法和包含该发光材料的LED光源,属于荧光材料技术领域。所述发光材料的化学组成以化学式MP3O9:xCr3+,yLn3+表示,其中,所述M元素选自Sc、In、V、Fe及三价稀土离子中的一种或多种;所述Ln元素选自Yb、Pr、Nd、Eu、Sm、Dy等稀土离子中的一种或多种,Cr3+为发光中心离子,0.01mol%≤x≤100mol%,0.01mol%≤y≤100mol%。本发明的近红外发光材料具有更高的发光稳定性、发光量子产率。

    一种近红外发光材料、其制备方法及含该材料的LED光源

    公开(公告)号:CN116751588A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310769509.1

    申请日:2023-06-28

    IPC分类号: C09K11/70 C09K11/81 H01L33/50

    摘要: 本发明公开了一种近红外发光材料、其制备方法和包含该发光材料的LED光源,属于荧光材料技术领域。所述发光材料的化学组成以化学式MP3O9:xCr3+,yLn3+表示,其中,所述M元素选自Sc、In、V、Fe及三价稀土离子中的一种或多种;所述Ln元素选自Yb、Pr、Nd、Eu、Sm、Dy等稀土离子中的一种或多种,Cr3+为发光中心离子,0.01mol%≤x≤100mol%,0.01mol%≤y≤100mol%。本发明的近红外发光材料具有更高的发光稳定性、发光量子产率。

    一种发光材料及其制备方法和包含该发光材料的发光器件

    公开(公告)号:CN116987504A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310897330.4

    申请日:2023-07-21

    IPC分类号: C09K11/70 C09K11/71 H01L33/50

    摘要: 本发明公开一种发光材料及其制备方法和包含该发光材料的发光器件,发光材料以化学式MaNbPxOy:zCr3+,cLn表示,其中M元素选自Li、Na、K、Rb、Cs、Zn、Mg、Ca、Sr及Ba中的一种或多种,N元素选自Al、Ga、Sc、In、Fe、Mn、Ti、Zr、V、Sb及B中的一种或多种,Cr3+为发光中心离子,Ln为稀土元素,a、b、x和y均为元素的最简化学计量数,发光器件包括荧光转换层和LED半导体芯片,且荧光转换层载置于LED半导体芯片上;本发明的发光材料能够实现可见至近红外600~1100nm范围内的发光,具有高的发光稳定性、发光量子产率和耐候性,进一步拓宽其应用领域。