-
公开(公告)号：CN118955133A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411010349.3
申请日：2024-07-26
Applicant: 河北光兴半导体技术有限公司 , 东旭科技集团有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/48 , H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种掺杂的石榴石型锂离子固态电解质及制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：制备纯相的立方相石榴石型锂离子固态电解质；将纯相的立方相石榴石型锂离子固态电解质破碎，与包含掺杂元素的原料依次进行第二混合、第二均化和第二干燥，得第二混合物粉末；将第二混合物粉末成型为片状，进行第二煅烧，得到掺杂的石榴石型锂离子固态电解质陶瓷片。所解决的技术问题是如何提供一种掺杂的石榴石型锂离子固态电解质，使其能够避免现有技术中因为掺杂物的引入而导致晶体生长模式被破坏，从而避免电解质间晶界增加、电解质晶粒尺寸不均匀，电解质离子电导率降低等问题；本发明的制备方法既不会破坏晶体的生长，还容易大规模生产推广。
-
公开(公告)号：CN118108411A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410179015.2
申请日：2024-02-08
Applicant: 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种强化玻璃及其制备方法与应用，本发明提供的强化玻璃以石英砂、氧化铝、三氧化二硼、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化镁、氧化钙、二氧化锆、三氧化二钇为主要原料，通过对含有的不同类别的氧化物含量和比例进行控制，再通过二次强化，制成的玻璃对铂金的侵蚀较少，同时具有较好抗跌落、抗划伤性能。本发明还通过设置氧化物间的比例关系，(Y2O3+ZrO2)/Al2O3为0.06～0.3；(Na2O+K2O)/Li2O为0.5～3.5；MgO/((Li2O+Na2O)×Al2O3为1～10；制成的玻璃对铂金的侵蚀程度更小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117700100A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311746749.6
申请日：2023-12-18
Applicant: 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
Abstract: 本发明涉及玻璃生产技术领域，尤其涉及一种低熔点高熵玻璃及其制备方法和应用，该低熔点高熵玻璃包括以摩尔比计的以下组分：V2O5：5～35％；Bi2O3:5～35％；P2O5:5～35％；Al2O3：5～35％；B2O3：5～35％。本发明将高熵的概念应用到玻璃领域，通过合理的成分设计，开发出能够代替铅系低熔点玻璃的新型、环保的封接玻璃。该低熔点高熵玻璃的玻璃化转变温度范围为480～520℃，软化温度范围为610～650℃，使用温度范围为650℃～900℃，其化学稳定性高且具有较大的烧结温度范围。采用该低熔点高熵玻璃封接氧化铝陶瓷、玻璃、半导体等材料时，接头的剪切强度可达32～36MPa左右。
-
公开(公告)号：CN118155905A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410280597.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
Abstract: 本发明涉及HTCC基板用的印刷浆料领域，公开了一种HTCC平面印刷用浆料组合物、HTCC基板用的印刷浆料及其制备方法。该组合物中含有83‑93wt％的钨浆料和7‑17wt％的粘合剂浆料；所述钨浆料中含有80‑90wt％的钨粉、5‑17wt％的液剂I、2‑6wt％的组合A；所述粘合剂浆料中含有60‑90wt％的氧化铝、0.2‑5wt％的氧化硅、0.2‑5wt％的氧化镁、0.2‑5wt％的氧化钙、0.2‑5wt％的纳米碳化钨、5‑17wt％的液剂II、2‑6wt％的组合B。本发明提供的印刷浆料能够提高印刷线路烧结致密性和机械性能，有效降低基板变形，满足线宽、线间距为30μm的精密印刷。
-
公开(公告)号：CN118561529A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410620129.6
申请日：2024-05-17
Applicant: 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
IPC: C03C17/245
Abstract: 本申请涉及一种激光增透膜、具有激光增透膜的玻璃及其制备方法，该激光增透膜包括交替层叠设置的过渡金属氧化物层和氧化硅层，通过使用IVB族过渡金属氧化物和VB族过渡金属氧化物的混合物来形成过渡金属氧化物层，能够在较少堆叠层数的情况下将1064nm波段激光的透光率提升至99％以上，大大降低了生产成本，解决了现有增透膜需要堆叠十几层甚至几十层才能将透光率提升至99％以上的问题。
-
公开(公告)号：CN118086891A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410094384.1
申请日：2024-01-23
Applicant: 河北光兴半导体技术有限公司 , 北京盛达众安科技有限公司
Abstract: 本发明涉及高性能金属粉末材料技术领域，公开了一种激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将含有Al、Co、Cr、Fe、Ni、Ti的配合料接触混合，得到合金粉体，然后将合金粉体涂覆在预处理后的基体材料表面，得到沉积基底；(2)在保护气体存在下，将沉积基底进行激光熔覆，形成熔覆层；(3)在氮气和氢气存在下，将熔覆层进行离子渗氮处理。该制备方法制备得到的激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层在保证涂层成型良好、塑韧性良好的前提下，既避免材料的浪费、降低成本，又具有高熵合金优异的性能，其表面硬度高达1200HV0.2以上。
-
公开(公告)号：CN119339990A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411355054.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 东旭科技集团有限公司
Inventor： 李彩霞
Abstract: 本申请涉及一种低温光伏银浆及其制备方法和应用，属于光伏导电材料技术领域；银浆的成分按质量份数计包括：导电银粉80～90份和低熔点金属粉末0.5～3份；其中，所述低熔点金属粉末的D50为50nm～300nm，所述低熔点金属粉末的振实密度为3g/mL～4.5g/mL，所述低熔点金属粉末的熔点不高于300℃；通过采用低熔点金属粉末作为成分，低熔点金属粉末可以在银浆固化过程中形成银颗粒之间的焊点，并且控制低熔点金属粉末的粒径在较小范围，利用其小颗粒的属性，不仅可以起到助融作用，并提升了浆料的导电性，还可以大幅提高银浆与Si片TCO层的接触面，从而改善电阻率和欧姆接触。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.115 seconds)
