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发明公开
基于硒化锑纳米棒阵列和N2200的有机无机异质结光电器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115528175A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211166918.4

申请日：2022-09-23

申请人： 河北大学

发明人： 李志强 , 马海亚 , 梁晓杨 , 张渝松

IPC分类号： H01L51/48 , H01L51/46 , H01L51/42

摘要： 本发明提供了一种基于硒化锑纳米棒阵列和N2200的有机无机异质结光电器件及其制备方法。具体是：本发明提供了一种新型的N2200/Sb2Se3NRAs有机无机异质结，通过旋涂工艺，在硒化锑纳米棒阵列上旋涂一层N2200，形成了N2200/Sb2Se3NRAs异质结。N2200的制备方法是在通过手套箱里进行旋涂而制成，硒化锑纳米棒阵列可通过近空间升华工艺制备而成。本发明通过构建一种有机无机杂化异质结，制备出了太阳能电池，同时，基于该结构的光电探测器在可见和红外波段具有超高的响应度和探测度，具有潜在的应用价值。