公开(公告)号：CN105568019A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610099699.0

申请日：2016-02-24

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王清周 ,  崔春翔 ,  殷福星 ,  杨涧 ,  李波 ,  李楠

IPC: C22C1/02 ,  C22C9/01 ,  C22F1/08

CPC classification number: C22C1/02 ,  C22C9/01 ,  C22F1/006 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法，涉及改变铜基合金的物理结构，步骤是：制备孕育剂Cu51Zr14；取所需质量的成分配比为Cu-11.9％Al-2.5％Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化，然后移至井式坩埚炉内，并于1090～1100℃保温5～8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1～1.0％的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14，搅拌10～15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中，由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对CuAlMn形状记忆合金进行细化的效果有限的缺陷，使得现有CuAlMn形状记忆合金的力学性能及低温阻尼性能同时获得了显著提高。

公开(公告)号：CN105568019B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610099699.0

申请日：2016-02-24

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王清周 ,  崔春翔 ,  殷福星 ,  杨涧 ,  李波 ,  李楠

IPC: C22C1/02 ,  C22C9/01 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法，涉及改变铜基合金的物理结构，步骤是：制备孕育剂Cu51Zr14；取所需质量的成分配比为Cu‑11.9％Al‑2.5％Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化，然后移至井式坩埚炉内，并于1090～1100℃保温5～8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1～1.0％的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14，搅拌10～15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中，由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对CuAlMn形状记忆合金进行细化的效果有限的缺陷，使得现有CuAlMn形状记忆合金的力学性能及低温阻尼性能同时获得了显著提高。