公开(公告)号：CN101570871B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910065147.8

申请日：2009-06-09

申请人： 河南大学

发明人： 杜祖亮 ,  王广君 ,  庞山 ,  王晓丽 ,  万绍明 ,  张兴堂

IPC分类号： C25D5/18 ,  C25D5/10

摘要： 本发明具体公开了一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法：在含有铜、铟、硒离子或铜、铟、镓、硒离子的电解质溶液中，采用钟形波调节的方波脉冲，在阴极基底上电沉积制得预制膜，然后将预制膜放在有固态硒源的真空、氮气或氩气气氛下在退火，最终生成铜铟硒或铜铟镓硒薄膜；其中脉冲电沉积的参数：脉冲频率为26～400kHz，占空比为1～100％，电沉积模式为脉冲恒电位或脉冲恒电流，脉冲电位范围为0.5～4V，脉冲电流范围为0.5～3mA，沉积时间为10～120min。本发明频率高，短脉冲极化强度大；本发明通过大范围调节频率使所需沉积的离子发生谐振，使离子有效沉积；本发明可以较小的沉积电流，实现标准电极电位较负的元素的沉积，而不会出现析氢等不良现象。

公开(公告)号：CN101857381B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010187285.6

申请日：2010-05-31

申请人： 河南大学

发明人： 杜祖亮 ,  付冬伟 ,  程柯 ,  庞山

IPC分类号： C03C17/28 ,  C08J5/18 ,  C08L25/06 ,  C03C17/23 ,  C01G9/02

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，涉及一种聚苯乙烯微球模板的制备方法，同时涉及一种利用制备聚苯乙烯微球模板的方法制备有序多孔氧化锌薄膜的方法。该方法为先配制聚苯乙烯微球悬浮液，用聚苯乙烯微球悬浮液将衬底A的一面润湿，然后将润湿面朝上的衬底A置入水下，衬底A上的聚苯乙烯微球在水面扩散并在水表面张力作用下自发组装成单层聚苯乙烯微球薄膜；然后将单层聚苯乙烯微球薄膜转移至衬底B上，将衬底B晾干形成聚苯乙烯微球模板。发明利用利用聚苯乙烯微球在水表面张力作用下自组装性质制作聚苯乙烯微球模板，制备方法简单、省时省材，所制得聚苯乙烯微球模板具有大面积有序、单层的优点，为制备大面积多孔有序结构材料提供了首要前提。

公开(公告)号：CN102168247A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110094055.X

申请日：2011-04-15

申请人： 河南大学

发明人： 杜祖亮 ,  乔振聪 ,  程轲 ,  庞山

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B01J23/30 ,  B01J21/06 ,  B01J37/03

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及TiO2/WO3复合薄膜的制备方法。首先使用双极脉冲磁控溅射在基底上溅射TiO2薄膜，然后在溅射好的TiO2薄膜上二次沉积WO3薄膜，将获得的复合薄膜进行退火处理即得TiO2/WO3复合薄膜。本发明采用双极脉冲磁控溅射法，制备灵活、可控性好，有望在工业中形成规模化生产。

公开(公告)号：CN101857381A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010187285.6

申请日：2010-05-31

申请人： 河南大学

发明人： 杜祖亮 ,  付冬伟 ,  程柯 ,  庞山

IPC分类号： C03C17/28 ,  C08J5/18 ,  C08L25/06 ,  C03C17/23 ,  C01G9/02

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，涉及一种聚苯乙烯微球模板的制备方法，同时涉及一种利用制备聚苯乙烯微球模板的方法制备有序多孔氧化锌薄膜的方法。该方法为先配制聚苯乙烯微球悬浮液，用聚苯乙烯微球悬浮液将衬底A的一面润湿，然后将润湿面朝上的衬底A置入水下，衬底A上的聚苯乙烯微球在水面扩散并在水表面张力作用下自发组装成单层聚苯乙烯微球薄膜；然后将单层聚苯乙烯微球薄膜转移至衬底B上，将衬底B晾干形成聚苯乙烯微球模板。发明利用利用聚苯乙烯微球在水表面张力作用下自组装性质制作聚苯乙烯微球模板，制备方法简单、省时省材，所制得聚苯乙烯微球模板具有大面积有序、单层的优点，为制备大面积多孔有序结构材料提供了首要前提。

公开(公告)号：CN101885509B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010235002.0

申请日：2010-07-23

申请人： 河南大学

发明人： 武四新 ,  陈星 ,  庞山

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及一种纳米CuInS2的制备方法。以邻苯二甲酸二辛酯为溶剂，在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵作用下，分别以乙酰丙酮合铜Cu(acac)2、乙酰丙酮铟、硫代乙酰胺作为铜源、铟源、硫源于常压下进行反应制备CuInS2。本发明纳米CuInS2的制备方法成本低、易操作，为工业上大规模合成提供了一个新的途径。

公开(公告)号：CN102153140A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110094376.X

申请日：2011-04-15

申请人： 河南大学

发明人： 杜祖亮 ,  袁占强 ,  庞山 ,  程轲

IPC分类号： C01G23/053 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别公开了一种TiO2纳米棒阵列的水热合成方法。先将FTO导电玻璃垂直浸入钛源溶胶，然后以0.6~1.5cm/min速率提出，晾干后退火处理；其中，退火条件为：升温速率3~5℃/min，退火温度450±30℃，保持30~60min，降温速率2~5℃/min；把制备有种子层的FTO导电玻璃置于反应溶液中，在150~180℃水热反应5~24h后，冷却至室温，取出，洗净、晾干，得到TiO2纳米棒阵列；所述反应溶液的体积比组成为：水：浓盐酸：钛酸四丁酯=19~50：19~50：1。本发明水热合成方法制备的TiO2纳米棒阵列结构，垂直取向性强，所用的材料廉价，工序简单，重复性好。

公开(公告)号：CN101885509A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010235002.0

申请日：2010-07-23

申请人： 河南大学

发明人： 武四新 ,  陈星 ,  庞山

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及一种纳米CuInS2的制备方法。以邻苯二甲酸二辛酯为溶剂，在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵作用下，分别以乙酰丙酮合铜Cu(acac)2、乙酰丙酮铟、硫代乙酰胺作为铜源、铟源、硫源于常压下进行反应制备CuInS2。本发明纳米CuInS2的制备方法成本低、易操作，为工业上大规模合成提供了一个新的途径。

公开(公告)号：CN102168247B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201110094055.X

申请日：2011-04-15

申请人： 河南大学

发明人： 杜祖亮 ,  乔振聪 ,  程轲 ,  庞山

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B01J23/30 ,  B01J21/06 ,  B01J37/03

摘要： 本发明属于光电材料新能源领域，特别涉及TiO2/WO3复合薄膜的制备方法。首先使用双极脉冲磁控溅射在基底上溅射TiO2薄膜，然后在溅射好的TiO2薄膜上二次沉积WO3薄膜，将获得的复合薄膜进行退火处理即得TiO2/WO3复合薄膜。本发明采用双极脉冲磁控溅射法，制备灵活、可控性好，有望在工业中形成规模化生产。