公开(公告)号：CN118685681A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410692806.5

申请日：2024-05-31

申请人： 河南省科学院材料研究所 ,  河南省科学院

发明人： 曹书光 ,  王辉 ,  潘文高 ,  张树辉 ,  吴浩然 ,  冯世壕 ,  史荣豪 ,  杜娟 ,  岳鹏飞 ,  张国赏 ,  宋克兴

IPC分类号： C22C33/02 ,  C22C38/22 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/24 ,  B22F9/04 ,  B22F3/105

摘要： 本发明涉及核材料技术领域，尤指一种高强高韧石墨烯纳米片弥散ODS‑FeCrAl合金复合材料的制备方法；包括以下步骤：(1)将特定比例的石墨烯纳米片与ODS‑FeCrAl合金粉末通过声学共振混合仪混合，获得均匀的复合粉末；(2)采用特定的全方位行星球磨机球磨工艺处理上述复合粉末，获得石墨烯纳米片增强的ODS‑FeCrAl合金复合粉末；(3)通过放电等离子烧结技术，利用特定的烧结制度，制备出石墨烯纳米片增强的ODS‑FeCrAl合金复合材料；本发明制备出的石墨烯增强ODS‑FeCrAl合金复合材料在室温下具有优异的抗拉强度和韧性，满足了先进核能系统对材料性能的严苛要求；并且本制备方法具有周期短、简单、方便等特点。

公开(公告)号：CN118668119A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410707708.4

申请日：2024-06-03

申请人： 河南省科学院材料研究所

发明人： 李瑞 ,  宋克兴 ,  张国赏 ,  岳鹏飞 ,  李习耀 ,  肖丽丽 ,  史荣豪 ,  曹书光 ,  谢昆 ,  杜娟 ,  张馨文 ,  吴浩然 ,  闫毅帆

IPC分类号： C22C30/00 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

摘要： 本申请涉及一种高熵合金陶瓷复合材料，所述高熵合金陶瓷复合材料的材料包括：Co、Cr、Fe、Ni、Al和Cr2O3。本申请提供的高熵合金陶瓷复合材料，包括Co、Cr、Fe、Ni、Al和Cr2O3，其不含有贵金属，并且具有高的硬度和强度。

公开(公告)号：CN118619677A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410703022.8

申请日：2024-06-03

申请人： 河南省科学院材料研究所

发明人： 潘文高 ,  卢琼琼 ,  冯世壕 ,  史荣豪 ,  肖丽丽 ,  曹书光 ,  吴浩然 ,  李习耀 ,  高杰 ,  岳鹏飞 ,  张国赏 ,  宋克兴

IPC分类号： C04B35/553 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种新型LiBaF3微波介质陶瓷的制备方法，涉及微波通讯领域及低温共烧陶瓷介质材料领域，包括将LiF和BaF2粉末分别放于加热炉中进行一次煅烧、一次研磨、一次干燥、二次煅烧、二次研磨、二次干燥、过筛造粒；将制得的粉体原料压制成圆柱体，并冷等静压；最终烧结2小时以实现致密化，得到致密化的LiBaF3；本发明中LiBaF3微波介质材料的制备方法可以在较低温度下实现致密化；在该制备条件下，LiBaF3微波介质陶瓷具有较低的介电常数13.72，较高的品质73000GHz和近零的谐振频率温度系数‑35.74×10‑6/℃；同时，该LiBaF3微波介质陶瓷可以与Ag低温共存，是一种颇具应用潜力的新型微波介质材料。

公开(公告)号：CN118932237A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411031943.0

申请日：2024-07-30

申请人： 河南省科学院 ,  河南省科学院材料研究所

发明人： 肖丽丽 ,  孙凯 ,  潘文高 ,  孟兆洁 ,  杜娟 ,  史荣豪 ,  张国赏 ,  岳鹏飞 ,  宋克兴

IPC分类号： C22C30/00 ,  C23C14/35 ,  C22C1/04 ,  B22F9/04 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  C23C14/16 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种用于制备非晶包覆纳米晶合金薄膜的靶材，以原子百分比计，包括：Cr：12～25％，Mn：16～30％，Fe：10～23％，Co：9～22％，Ni：10～26％，且Cr、Mn、Fe、Co和Ni的原子百分比互不相等。本申请还提供了靶材的制备方法。本申请还提供了一种非晶包覆纳米晶合金薄膜的制备方法。本申请提供的靶材纯度高、结构致密、且使用该靶材溅射的薄膜具有非晶包覆纳米晶的双相结构，薄膜的晶体相晶粒尺寸小于10nm，非晶层厚度为1～3nm。本发明为实现高稳定性高强度等优异性能纳米晶合金薄膜的制备奠定了基础，拓宽了纳米晶合金薄膜的应用范围。

公开(公告)号：CN117250331A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311238771.X

申请日：2023-09-25

申请人： 河南省科学院材料研究所

发明人： 谢昆 ,  刘忠侠 ,  蔡彬 ,  梁炳玉 ,  张鑫 ,  卢琼琼 ,  宋克兴 ,  张国赏 ,  岳鹏飞 ,  史荣豪

IPC分类号： G01N33/20 ,  G01N3/32 ,  G01N25/16

摘要： 本发明属于金属材料测试技术领域，具体涉及一种铜、铝金属材料尺寸稳定性的测试方法。本发明提供的测试方法包括采用动态热机械分析仪，对铜、铝金属材料进行动态热机械分析测试，得到铜、铝金属材料在不同温度和不同振动频率的交变外加应力共同作用下的实时复合模量|E|、损耗因子tanδ、储存模量E'和损耗模量E”；根据铜、铝金属材料在不同温度和不同振动频率的交变外加应力共同作用下的实时损耗因子tanδ、储能模量E'、耗能模量E”和复合模量|E|与实际应用场景所对应的尺寸稳定性要求进行比对，确定所述铜、铝金属材料的尺寸稳定性。该测试方法能实现在温度和外加应力共同作用下对金属材料尺寸稳定性的更加准确的测试。

公开(公告)号：CN116913974A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310760195.9

申请日：2023-06-26

申请人： 河南省科学院材料研究所

发明人： 潘文高 ,  陆磊 ,  张盛东 ,  张雪凤 ,  宋克兴 ,  刘新华 ,  张国赏 ,  卢琼琼 ,  史荣豪 ,  谢昆 ,  肖丽丽 ,  孟兆洁 ,  高杰 ,  王鸿业 ,  张真真

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 本发明主要涉及半导体薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种高性能ZnSnO薄膜晶体管及其制备方法；所述的薄膜晶体管包括在基板上依次制备形成的栅极、栅介质、有源层和源漏电极，其特征在于：所述的有源层是通过磁控溅射方法制备ZTO有源层材料，通过控制溅射气氛的氧含量控制氧空位缺陷在有源层中的分布与含量，先沉积富含氧缺陷的ZTO薄膜，再沉积氧缺陷较少的ZTO薄膜，使两者材料的能带结构有所差异，从而形成同质结薄膜；然后通过光刻和湿法刻蚀的工艺进行图形化；本发明的技术与主流的IGZO TFT性能相媲美,升级换代后可降低TFT显示背板的制造成本；该方法也适用于其他氧化物半导体材料与电子器件，具有较强的可推广性。