一种压力、温度集成传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110311641B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN201910564925.1

    申请日:2019-06-27

    摘要: 本发明公开了一种压力、温度集成传感器及其制备方法,包括底座、衬底及设置在衬底表面的FBAR谐振器,底座沿厚度方向设置有通孔,所述衬底内部设有第一密闭空腔和第二密闭空腔,第一密闭空腔底部与通孔相连通;其中一个FBAR谐振器设置位于第一密闭空腔正上方,一个FBAR谐振器设置位于第二密闭空腔正上方,余下至少一个FBAR谐振器设置位于衬底无密闭空腔部位上方。本发明所述压力、温度集成传感器具备压力传感器模块的温度补偿特性,能够准确地测定压力、温度两个参量,具有能够在高温、高压等极端恶劣环境中工作的优点。

    一种压力、温度集成传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110311641A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910564925.1

    申请日:2019-06-27

    摘要: 本发明公开了一种压力、温度集成传感器及其制备方法,包括底座、衬底及设置在衬底表面的FBAR谐振器,底座沿厚度方向设置有通孔,所述衬底内部设有第一密闭空腔和第二密闭空腔,第一密闭空腔底部与通孔相连通;其中一个FBAR谐振器设置位于第一密闭空腔正上方,一个FBAR谐振器设置位于第二密闭空腔正上方,余下至少一个FBAR谐振器设置位于衬底无密闭空腔部位上方。本发明所述压力、温度集成传感器具备压力传感器模块的温度补偿特性,能够准确地测定压力、温度两个参量,具有能够在高温、高压等极端恶劣环境中工作的优点。