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公开(公告)号：CN112366148B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202011388511.7
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请提供一种衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请通过获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，并针对每个待测芯片组，根据该待测芯片组内具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片各自的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度，而后根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系，从而根据特性对应关系确定出待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升电气特性量测精准度及稳定性。
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公开(公告)号：CN112014710A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010880566.3
申请日：2020-08-27
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质，涉及半导体制程领域。本申请通过获取探针在不同按压高度下针对待测晶圆中多个元件单元通过第一测试键及第二测试键分别量测得到的第一电阻量测值和第二电阻量测值，并针对每个元件单元，根据该元件单元在不同按压高度下的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，进而根据该探针在不同按压高度下与多个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定出与待测晶圆真实适配的目标探测高度，并以该目标探测高度所对应的针压大小，作为该待测晶圆所适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。
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公开(公告)号：CN112366148A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011388511.7
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请提供一种衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请通过获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，并针对每个待测芯片组，根据该待测芯片组内具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片各自的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度，而后根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系，从而根据特性对应关系确定出待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升电气特性量测精准度及稳定性。
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公开(公告)号：CN112014710B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202010880566.3
申请日：2020-08-27
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质，涉及半导体制程领域。本申请通过获取探针在不同按压高度下针对待测晶圆中多个元件单元通过第一测试键及第二测试键分别量测得到的第一电阻量测值和第二电阻量测值，并针对每个元件单元，根据该元件单元在不同按压高度下的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，进而根据该探针在不同按压高度下与多个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定出与待测晶圆真实适配的目标探测高度，并以该目标探测高度所对应的针压大小，作为该待测晶圆所适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。
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