公开(公告)号：CN111727510B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201980013329.2

申请日：2019-01-17

申请人： 法国原子能源和替代能源委员会 ,  泰勒斯公司

发明人： 休伯特·博诺 ,  伊万-克里斯多夫·罗宾

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/44

摘要： 光电器件包括：p掺杂的第一半导体层(106)和n掺杂的第二半导体层(108)，它们叠置并形成p‑n结；第一电极(122)，电连接到第一半导体层并形成器件的阳极；栅(118)，抵靠第一半导体层的至少一个侧面定位；第二电极(128)，抵靠第二半导体层的侧面定位，电连接到第二半导体层并与第一半导体层电隔离，其中第二电极的一部分(132)抵靠所述栅定位，使得第二电极电连接到所述栅并形成所述器件的栅电极和阴极。

公开(公告)号：CN111727510A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201980013329.2

申请日：2019-01-17

申请人： 法国原子能源和替代能源委员会 ,  泰勒斯公司

发明人： 休伯特·博诺 ,  伊万-克里斯多夫·罗宾

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/44

摘要： 光电器件(100)包括：第一p掺杂半导体层(106)和第二n掺杂半导体层(108)，它们叠置并形成p-n结；第一电极(122)，电连接到第一半导体层并形成器件的阳极；栅(118)，抵靠第一半导体层的至少一个侧面定位；第二电极(128)，抵靠第二半导体层的侧面定位，电连接到第二半导体层并与第一半导体层电隔离，其中第二电极的一部分(132)抵靠所述栅定位，使得第二电极电连接到所述栅并形成所述器件的栅电极和阴极。