公开(公告)号：CN105026330A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480010838.7

申请日：2014-02-25

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： J.斯特恩许 ,  J.哈根

IPC: C03C17/34 ,  C08J7/00

CPC classification number: C03C17/3417 ,  B32B17/10201 ,  B32B17/10761 ,  B32B17/1077 ,  C03B23/0235 ,  C03B25/025 ,  C03B27/012 ,  C03C17/3435 ,  C03C2217/94 ,  C03C2217/948 ,  C03C2218/156 ,  C03C2218/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5813

Abstract: 本发明涉及包含在其至少一个面的至少一部分上涂有薄膜多层的基底（1）的材料，所述薄膜多层包含至少两个基于透明导电氧化物的膜（2，3），所述膜通过至少一个电介质中间膜（4）分隔，所述电介质中间膜的物理厚度为最多50纳米，在所述基于透明导电氧化物的膜（2，3）之间没有沉积金属膜，所述多层进一步包含在距离基底（1）最远的基于透明导电氧化物的膜（2）之上的至少一个氧阻隔膜（6），各个基于透明导电氧化物的膜（2，3）具有20至80纳米的物理厚度。

公开(公告)号：CN105026330B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201480010838.7

申请日：2014-02-25

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： J.斯特恩许 ,  J.哈根

IPC: C03C17/34 ,  C08J7/00

Abstract: 本发明涉及包含在其至少一个面的至少一部分上涂有薄膜多层的基底（1）的材料，所述薄膜多层包含至少两个基于透明导电氧化物的膜（2，3），所述膜通过至少一个电介质中间膜（4）分隔，所述电介质中间膜的物理厚度为最多50纳米，在所述基于透明导电氧化物的膜（2，3）之间没有沉积金属膜，所述多层进一步包含在距离基底（1）最远的基于透明导电氧化物的膜（2）之上的至少一个氧阻隔膜（6），各个基于透明导电氧化物的膜（2，3）具有20至80纳米的物理厚度。