公开(公告)号：CN1524328A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN02810122.7

申请日：2002-03-08

Applicant: 洛桑生态综合技术联合公司

Inventor： E·卡彭 ,  V·伊亚科夫勒夫 ,  A·西尔布 ,  A·鲁德拉

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明提供了一种电泵激VCSEL及其制造方法。这种VCSEL包含一夹在顶部和底部DBR叠层之间的活性腔体材料，顶部DBR至少有一个n－半导体层。该器件在活性腔体材料结构表面和顶部DBR叠层的n－半导体层之间确定一个孔区。该结构表面是由台面的顶面形成的，台面至少包含p++/n++隧道结的上n++层和台面之外的p－型层表面。结构表面与DBR叠层的n－半导体层的表面由于它们的变形而相熔合，从而在各熔合表面之间的台面附近产生一个空气隙。活性区被电流孔确定，电流孔包含被空气隙包围的台面，因而可以限制电流流向活性区，而空气隙使得VCSEL中的折射率产生横向变化。

公开(公告)号：CN1263209C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02810122.7

申请日：2002-03-08

Applicant: 洛桑生态综合技术联合公司

Inventor： E·卡彭 ,  V·伊亚科夫勒夫 ,  A·西尔布 ,  A·鲁德拉

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明提供了一种电泵激VCSEL及其制造方法。这种VCSEL包含一夹在顶部和底部DBR叠层之间的活性腔体材料，顶部DBR至少有一个n-半导体层。该器件在活性腔体材料结构表面和顶部DBR叠层的n-半导体层之间确定一个孔区。该结构表面是由台面的顶面形成的，台面至少包含p++/n++隧道结的上n++层和台面之外的p-型层表面。结构表面与DBR叠层的n-半导体层的表面由于它们的变形而相熔合，从而在各熔合表面之间的台面附近产生一个空气隙。活性区被电流孔确定，电流孔包含被空气隙包围的台面，因而可以限制电流流向活性区，而空气隙使得VCSEL中的折射率产生横向变化。

公开(公告)号：CN1509406A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02810125.1

申请日：2002-03-08

Applicant: 洛桑生态综合技术联合公司

Inventor： E·卡彭 ,  V·伊亚科夫勒夫 ,  A·西尔布 ,  A·鲁德拉 ,  G·叙鲁切努

IPC: G01J3/26 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/18366 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明提供了一种可调谐Farby－Perot垂直腔光电器件及其制造方法。该器件包括顶部和底部半导体DBR叠层及处在它们之间的可调谐空气隙腔。该空气隙腔形成于底部DBR叠层上方的一个隔片的凹口内。顶部DBR叠层由一个支撑结构支持在位于凹口中心区域上方的支撑结构区域内，而在凹口上方和DBR叠层之外的支持结构区域呈现为一个膜片，它可以通过施加在器件接触件上的调谐电压而偏转。