公开(公告)号：CN118084818A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410245102.3

申请日：2024-03-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 刘广宁 ,  唐雪娜 ,  卢翊韩 ,  何仁杰

IPC: C07D277/40 ,  C07C209/00 ,  C07C211/05 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66 ,  G01N23/083

Abstract: 本发明公开了一种一维铅基有机‑无机杂化光电半导体材料及其制备方法。所述的半导体分子结构式为(HATZ)(HEA)4Pb3I11，该材料具有一维有机‑无机杂化类型的结构，其中一维无机链的每个Pb原子都处于六配位(PbI6)八面体环境中。三个(PbI6)八面体以共享面连接到线性三核(Pb3I12)单元中，该单元进一步以末端I原子为相邻单元，沿c轴呈现锯齿形无限(Pb3I11)5‑链，(HATZ)+和(HEA)+阳离子在(Pb3I11)5‑链之间有序交错排列。通过选择乙酸铅，2‑氨基噻唑，乙胺和氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得了化合物(HATZ）(HEA)4Pb3I11的单晶，可以用于X射线探测材料领域。