公开(公告)号：CN113264933B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202110535594.6

申请日：2021-05-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 麻鲁鲁 ,  张春奇 ,  刘逸非 ,  陈建汉 ,  卢金存 ,  刘意 ,  曲逸飞

IPC: C07D471/06 ,  C09K11/06 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  A61K49/00 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明属于双极性半导体技术领域，公开了半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用，本发明的半导体材料为具有近距离的强π‑π作用的交叉偶极式分子堆积方式形成的晶体材料；晶体材料由经化学修饰后具有给、受体结构的D‑A‑D型分子AzoO2‑PDI有序排列而成。本发明通过巧妙的分子设计和化学修饰得到D‑A‑D型飞鱼状分子AzoO2‑PDI，分别利用了作为侧基修饰基团的两偶氮酚氧基的弱给电子效应及位阻效应，从分子和晶体材料两个层次，达到了降低能隙、微调前线轨道分布促进电子和空穴的注入，以及形成具有强的π‑π作用的交叉偶极式分子堆积加强PDI核间的波函数重叠和电子耦合，促进电子和空穴的有效传输的双重目的。

公开(公告)号：CN113264933A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110535594.6

申请日：2021-05-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 麻鲁鲁 ,  张春奇 ,  刘逸非 ,  陈建汉 ,  卢金存 ,  刘意 ,  曲逸飞

IPC: C07D471/06 ,  C09K11/06 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  A61K49/00 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明属于双极性半导体技术领域，公开了半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用，本发明的半导体材料为具有近距离的强π‑π作用的交叉偶极式分子堆积方式形成的晶体材料；晶体材料由经化学修饰后具有给、受体结构的D‑A‑D型分子AzoO2‑PDI有序排列而成。本发明通过巧妙的分子设计和化学修饰得到D‑A‑D型飞鱼状分子AzoO2‑PDI，分别利用了作为侧基修饰基团的两偶氮酚氧基的弱给电子效应及位阻效应，从分子和晶体材料两个层次，达到了降低能隙、微调前线轨道分布促进电子和空穴的注入，以及形成具有强的π‑π作用的交叉偶极式分子堆积加强PDI核间的波函数重叠和电子耦合，促进电子和空穴的有效传输的双重目的。