公开(公告)号：CN118425605A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410319376.2

申请日：2024-03-20

申请人： 济南晶恒电子有限责任公司

发明人： 吴玉强 ,  张强 ,  郗厚熠 ,  王雪霞 ,  吕明 ,  孙家高 ,  张纪伟 ,  孟凡全 ,  马涛 ,  杨永超

IPC分类号： G01R21/02 ,  G06F30/20 ,  G06F119/08

摘要： 本发明涉及半导体器件可靠性试验领域，尤其涉及一种功率MOSFET器件间歇功率试验系统及试验方法。本发明试验方法在获取试验条件时，首先在自由空气和强迫风冷两种单一环境条件下对DUT进行热表征测量得到瞬态热响应数据并分别建立两种单一环境条件下的动态热模型。然后基于构建的动态热模型，在相同的耗散功率Pd条件下，计算在自由空气试验环境下的加热时间ton1和冷却时间toff1，强迫风冷试验环境下的加热时间ton2和冷却时间toff2，并确定实际试验中的试验条件加热时间ton＝ton1，冷却时间toff＝toff2。应用本方法可以减小在实验过程中的测量误差。

公开(公告)号：CN221765646U

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202420227971.9

申请日：2024-01-29

申请人： 济南晶恒电子有限责任公司

发明人： 吴玉强 ,  孙家高 ,  吕明 ,  张纪伟 ,  滕杨 ,  朱猛 ,  孟祥宝 ,  马凤丽 ,  孟凡全 ,  杨永超

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/04

摘要： 本实用新型涉及半导体器件可靠性试验装备技术领域，具体为一种三极管间歇工作寿命试验装置，机架上设置有人机交互模块、试验腔、B极电源、C极电源和试验板模块。试验腔与水平线成α角度倾斜，试验板模块包括处理器、数据采集模块、采样电阻和试验板，DUT安装在试验板上。试验板设置在试验腔的内部。本实用新型在加热升温时段，DUT上方的空气被加热后沿倾斜试验腔上升并流出试验装置，DUT周围的环境温度基本保持不变。冷却降温时段热空气从试验装置前、后吹出，不会影响相邻试验设备，试验场地利用率大幅提高。

公开(公告)号：CN221765645U

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202420217692.4

申请日：2024-01-29

申请人： 济南晶恒电子有限责任公司

发明人： 吴玉强 ,  郗厚熠 ,  王雪霞 ,  吕明 ,  滕杨 ,  孟凡全 ,  马凤丽 ,  杨永超 ,  吕浩伟

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/04

摘要： 本实用新型涉及半导体器件试验设备技术领域，具体为一种功率DIODE模块间歇工作寿命试验装置，包括机架，在机架上设置有人机交互模块、加热电源、试验腔和试验板模块。试验腔倾斜设置，试验板模块包括控制器、数据采集模块和采样电阻，控制器与数据采集模块、加热电源、AC冷却模块电气连接。本实用新型在加热升温时段，紧邻DUT的空气被加热后沿倾斜试验腔上升并流出试验装置，不再影响相邻的DUT，进而减少相互之间的影响提高检测的准确度和可信度。