公开(公告)号：CN114645246A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210562615.8

申请日：2022-05-23

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 徐华伟 ,  沈洵 ,  闫西安 ,  曾羽 ,  常凯伦

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24

摘要： 本发明公开一种金属遮罩，包括：主要图形区；边部图形区，位于主要图形区侧边，其上下两个表面均设有若干用于压延工序中减小应力释放所造成的长度差异的凹型槽，通过边部图形区上下两个表面的凹型槽来减小压延工序中释放所造成的长度差异，防止金属遮罩边部出现波浪起伏的不平整。

公开(公告)号：CN118441278A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410483035.9

申请日：2024-04-22

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 康岳湖 ,  曾羽 ,  闫西安 ,  吴先睿 ,  倪源 ,  汤帅

IPC分类号： C23F1/02 ,  H10K71/16 ,  C23C14/04

摘要： 本发明公开了一种超精密金属掩膜版用I nvar蚀刻深宽比的调控方法，具体涉及超精密金属掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：选取超精密金属掩膜版；步骤S2：将超精密金属掩膜版放入化学气相沉积室内在其表面上形成一层氧化膜；步骤S3：对超精密金属掩膜版进行压膜和曝光操作；步骤S4：将曝光后的超精密金属掩膜版放入到显影液中进行显影工作，形成干膜；步骤S5：表调液制备。本发明通过调控超精密金属掩膜版表面致密氧化膜的厚度，达到调控蚀刻深宽比的目的，开口区无氧化膜附着，非开口区附着氧化膜，一定范围内对蚀刻液存在一定的斥力，一定程度上减缓了横向侧蚀行为，达到提高蚀刻因子的目的。

公开(公告)号：CN118422215A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410562693.7

申请日：2024-05-08

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 吴先睿 ,  康岳湖 ,  曾羽 ,  闫西安 ,  倪源 ,  汤帅

IPC分类号： C23G3/02 ,  C23G1/19 ,  C23G1/08

摘要： 本发明属于清洗方法领域，尤其是一种新型Invar原材清洗的线体及方法，其中的新型Invar原材清洗的线体包括碱洗段、酸洗段、水洗段、风刀段、烘箱段和膜厚检测段，所述酸洗段位于碱洗段的右侧，碱洗段和酸洗段之间设有水洗段一，酸洗段和风刀段的之间设有水洗段二，所述烘箱段位于风刀段的右侧，所述膜厚检位于烘箱段的右侧，所述水洗段包括热水清洗、冷水清洗、纯净水清洗。本发明设计合理，清洗时同时开启碱洗段和酸洗段，通过清洗前后点对点确认，对原材异物的去除情况如下：碳化物92.4％，油渍脏污97.3％，胶状异物91.2％，锈迹95.2％，该清洗方式对原材异物的去除展现出卓越的效果。

公开(公告)号：CN116065102A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211553499.X

申请日：2022-12-06

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 曾羽 ,  闫西安 ,  徐华伟 ,  沈洵 ,  夏金晓

IPC分类号： C22C38/08 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/04 ,  C22C33/04 ,  C22B9/04 ,  C22B9/18 ,  C22B9/20 ,  C21D8/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24

摘要： 本发明公开一种金属掩膜版原材及加工工艺，以质量％计，Si％

公开(公告)号：CN115369355A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211308626.X

申请日：2022-10-25

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 曾羽 ,  闫西安 ,  徐华伟 ,  沈洵 ,  夏金晓

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  B21B1/22 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法，晶面（111）、晶面（200）、晶面（220）和晶面（311）的衍射峰强度分别定义为I（111）、I（200）、I（220）和I（311）；A=Ｉ(200)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；B=Ｉ(220)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；C=Ｉ(311)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；D=Ｉ(111)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；其中，A>40%，0%

公开(公告)号：CN114645246B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210562615.8

申请日：2022-05-23

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 徐华伟 ,  沈洵 ,  闫西安 ,  曾羽 ,  常凯伦

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24

摘要： 本发明公开一种金属遮罩，包括：主要图形区；边部图形区，位于主要图形区侧边，其上下两个表面均设有若干用于压延工序中减小应力释放所造成的长度差异的凹型槽，通过边部图形区上下两个表面的凹型槽来减小压延工序中释放所造成的长度差异，防止金属遮罩边部出现波浪起伏的不平整。

公开(公告)号：CN118421902A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410562691.8

申请日：2024-05-08

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 汤帅 ,  闫西安 ,  康岳湖 ,  曾羽 ,  吴先睿 ,  倪源

IPC分类号： C21D9/46 ,  C21D1/26 ,  C21D6/00 ,  C21D1/34

摘要： 本申请涉及退火炉领域，公开了一种用于因瓦合金箔材退火的卧式连续退火炉，包括底板以及安装固定在底板上的预热段、加热段、缓冷段和快冷段，所述预热段、加热段、缓冷段和快冷段从左向右依次排布，预热段、加热段、缓冷段和快冷段的两侧壁上均设有料口，预热段的左侧外壁和快冷段的右侧外壁上均转动安装有密封门，预热段、加热段、缓冷段和快冷段内均转动安装有多个支撑炉辊。本申请具有以下优点和效果：能够实现依次对因瓦合金箔材进行预热、高温加热、缓慢降温冷和快速降温冷却的一体化连续退火操作，能够获得组织与性能均匀、板型和表面质量良好的退火因瓦合金箔材，提高了因瓦合金箔材的生产质量。

公开(公告)号：CN118374655A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410483034.4

申请日：2024-04-22

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 康岳湖 ,  曾羽 ,  闫西安 ,  吴先睿 ,  倪源 ,  汤帅

IPC分类号： C21D1/26 ,  C21D6/00 ,  C21D11/00 ,  C21D9/56

摘要： 本发明属于Invar加工设备领域，尤其是一种改善超薄带Invar起筋的方法及装置，器其中的改善超薄带Invar起筋的方法包括以下步骤：S1：特定的热退火设备，建立热退火炉用于超薄带Invar的输送，且炉长设置为25‑50m之间；S2：在选取需要安装在热退火炉内的托辊，托辊的托辊直径300cm‑400cm之间，托辊凸度100um‑200um之间；S3：将选取好的托辊安装到热退火炉内，然后需要对相邻的两个托辊之间的间距进行调节，使得托辊间间距＜5m。本发明设计合理，通过炉体长度、托辊选取和调节、温度和张力的控制，在蛇形绕辊方式条件下，可改善板型起筋Z‑Max＜200um。

公开(公告)号：CN118244572A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410562695.6

申请日：2024-05-08

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 闫西安 ,  康岳湖 ,  曾羽 ,  吴先睿 ,  倪源 ,  汤帅

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F1/82 ,  G03F1/84

摘要： 本发明公开了掩膜版用invar原材的表面控制方法，具体涉及掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：对i nvar原材进行称重，在i nvar原材表面涂上光刻胶后进行曝光显影后形成光刻图案；步骤S2：轧制I nvar原材表面粗糙度；步骤S3：控制i nvar原材成品轧程变形量；步骤S4：将含有光刻图案的i nvar原材加入到蚀刻液进行蚀刻处理，对i nvar原材进行减薄处理；步骤S5：调节相应的蚀刻速率。本发明通过控制轧制I nvar原材表面粗糙度＜0.1um并配合进一步化学刻蚀工艺，可以有效减少原材表面缺陷，同时通过控制轧程总变形量和初轧道次变形量，可以有效改善表面光泽度。