公开(公告)号：CN118955107A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411442151.2

申请日：2024-10-16

申请人： 浙江华正新材料股份有限公司

发明人： 周电兵 ,  任英杰 ,  宋开新 ,  毛敏敏 ,  韩梦娜 ,  何亮

IPC分类号： C04B35/195 ,  C08K9/06 ,  C08K3/34 ,  C08L27/18 ,  C04B35/634 ,  H05K1/03

摘要： 本发明涉及陶瓷及其制备方法和应用，所述陶瓷的化学式为Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4，其中，x为离子取代量，0＜x≤0.05，且0＜x≤0.04时，所述陶瓷的粒径为（10+1000x）μm至（15+1000x）μm，0.04＜x≤0.05时，所述陶瓷的粒径为50μm至55μm。本发明通过调控陶瓷中离子取代量x与粒径之间的关系，使得陶瓷能够同时具有低介电损耗和高热导率，因此，采用本发明陶瓷制备的电路基板能够同时具有低介电损耗和高热导率。