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公开(公告)号：CN111487718B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010386539.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN115966109A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211480460.X
申请日：2022-11-23
IPC: G09B5/00 , G06N3/045 , G10L25/51 , G10L25/30 , G10L13/047 , G10L13/04 , G10L13/033 , G09B19/06
Abstract: 本发明公开了一种采用标准化流的双向计算机辅助发音训练方法，包括以下步骤：S1：输入频谱通过标准化流生成输入的隐变量；S2：检测模型检测出错误发音；S3：通过时间检测得到持续时间；S4：错误发音的音素通过校正模型生成一个新的隐变量序列；S5：通过融合器将两个隐变量融合生成校正后的隐变量；S6：通过标准化流转换回校正频谱。本发明BiCAPT可以在检测错误发音的同时生成正确的发音，给予L2学习者更加有效的帮助，这点是在目前绝大部分的CAPT方法的基础上做了非常大的改进和提升。
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公开(公告)号：CN114970836A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210894946.1
申请日：2022-07-28
Abstract: 本发明公开了一种蓄水池神经网络实现方法，包括通过激光器发射光信号，通过调制器向光信号加载输入信息和其他波长对应的反馈信息，通过波分复用单元汇合得到波分复用信号，输入至MZI阵列中；MZI阵列对波分复用信号矩阵运算，通过波分解复用分离得到波长光信号，通过探测器将波长光信号转化为电信号，通过FPGA向电信号施加激活函数得到反馈信息；循环迭代得到稳定的反馈信息作为蓄水池节点的状态，然后输入至初始全连接神经网络，通过交叉熵损失函数训练后得到全连接神经网络；该方法能够提升蓄水池神经网络的运算速度，较低功率，且具有较好的拟合能力。本发明还提供了蓄水池神经网络实现系统、电子设备及存储介质。
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公开(公告)号：CN112596158A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526413.5
申请日：2020-12-22
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：脊形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN111487717A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386136.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119805838A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411955380.4
申请日：2024-12-28
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种双向泵浦量子光源系统，包括1个多模干涉耦合器、2个不对称马赫‑增德干涉仪AMZI1和AMZI2，以及1个量子光源，多模干涉耦合器的输入端用于接收泵浦光，多模干涉耦合器的第一输出端与AMZI1的输入端连接并且AMZI1的第一输出端与量子光源的第一端连接，多模干涉耦合器的第二输出端与AMZI2的输入端连接并且AMZI2的第一输出端与量子光源的第二端连接，从而形成1个Sagnac环。本发明公开的一种双向泵浦量子光源系统，利用自发四波混频过程中，泵浦光和产生的信号、闲频光子频率不同的特点，将具有滤波作用的不对称马赫‑曾德干涉仪嵌入到Saganc环内，实现Sagnac环中信号和闲频光子的提取。
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公开(公告)号：CN111025470B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911394278.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
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公开(公告)号：CN111025471A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911392536.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111025470A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911394278.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
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公开(公告)号：CN112596157B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011526381.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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