离子液体填充型多孔硅光学VOC传感阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN103353447B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201310275723.8

    申请日:2013-06-28

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G01N21/49 G01N21/41 G01N21/01

    摘要: 本发明属于气体传感器制造及检测技术领域,具体涉及一种离子液体填充型多孔硅光学传感阵列及其制备方法,该传感阵列可用于挥发性有机气体的识别和检测。阵列由多个对VOC具有交叉敏感响应的气敏单元构成,气敏单元由填充在纳米多孔硅光子晶体的离子液体阵列组成,离子液体占多孔硅层孔隙率的80%以上,本发明的光学VOC传感阵列在常温下使用,大大降低了传感器工作温度;且离子液体在常温下不挥发,极其稳定。同时阵列式传感器的光学信号既可通过CCD成像获得,也可通过光纤和微型光纤光谱仪传输和获取准确的光强变化数据。此外,该类传感材料的信号响应及恢复速度比其他类型的传感材料明显要快,对VOC的响应时间为40s,恢复时间不大于1min,并且具有很强的抗电磁干扰性。

    离子液体填充型多孔硅光学VOC传感阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN103353447A

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201310275723.8

    申请日:2013-06-28

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G01N21/49 G01N21/41 G01N21/01

    摘要: 本发明属于气体传感器制造及检测技术领域,具体涉及一种离子液体填充型多孔硅光学传感阵列及其制备方法,该传感阵列可用于挥发性有机气体的识别和检测。阵列由多个对VOC 具有交叉敏感响应的气敏单元构成,气敏单元由填充在纳米多孔硅光子晶体的离子液体阵列组成,离子液体占多孔硅层孔隙率的80%以上,本发明的光学VOC传感阵列在常温下使用,大大降低了传感器工作温度;且离子液体在常温下不挥发,极其稳定。同时阵列式传感器的光学信号既可通过CCD成像获得,也可通过光纤和微型光纤光谱仪传输和获取准确的光强变化数据。此外,该类传感材料的信号响应及恢复速度比其他类型的传感材料明显要快,对VOC的响应时间为40s,恢复时间不大于1min,并且具有很强的抗电磁干扰性。