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公开(公告)号:CN118483879A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410707632.5
申请日:2024-06-03
申请人: 浙江大学
IPC分类号: G03F7/20
摘要: 本发明公开了一种基于有机介质的IC光刻设备浸没边界流场收束及撤除方法。将超疏油涂层均匀喷涂在IC光刻设备的基底上的浸没液回收不充分处,然后进行加热处理;通过浸没供给系统将浸没液填充浸没边界流场,完成收束;同时将浸没液流出进行回收;通过浸没供给系统回收浸没液直至完全流出,完成撤除。本发明通对浸没液回收不充分处喷涂超疏油涂层,能够在不影响曝光条件与流体特性的基础上增大流体在基底表面上的接触角,改善了流体于基底上的流动特性,消除了流体残余,实现了有机介质均匀完全填充以及完全回收等效果;本发明无需改变基底自身结构,提高了有机介质的使用效率,降低成本的同时提高了生产效率,最终提高了曝光质量。