介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺

    公开(公告)号:CN112915783A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110151571.5

    申请日:2021-02-03

    IPC分类号: B01D53/86 B01D53/56 B01D53/44

    摘要: 本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺,包括:将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器,N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内,低温等离子体放电产生高能电子和活性自由基,等离子体放电过程产生的多余高能电子与N型半导体催化剂中的电子进行碰撞,形成轨道电子的跃迁,产生“类光催化”行为,继而形成电子和空穴并进一步生成其他强氧化性物种,气态污染物在这些活性物种的共同作用下得到深度氧化,生成无害小分子或更有利于后续处理的高价态化合物。