公开(公告)号：CN119903707A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510082541.1

申请日：2025-01-20

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 应耀 ,  杨一曲 ,  车声雷 ,  乔梁 ,  郑精武 ,  李涓 ,  余靓

IPC: G06F30/23 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种软磁铁氧体的损耗与温升模拟分析方法，是运用磁热耦合法对高频低损耗功率MnZn铁氧体环形和EE型磁芯工作时的温升进行有限元仿真分析的方法。本发明通过改进网格划分方式，提升网格划分精度，从而显著提升了复杂结构的仿真精度。仿真结果与实测进行对比，结果表明，损耗和温度的仿真分析结果与实验结果符合较好，且温升误差随着损耗误差的变化而变化。此外还给出了环形以及EE型磁芯的温度随时间变化情况和不同位置的温度分布。研究结果表明，磁热耦合法拟合可用于确定异形磁芯的发热点位置和温升情况，从而在设计时可采取适当的散热措施，提高功率电子元件性能的稳定性和可靠性。