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公开(公告)号：CN114486751B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210127459.2
申请日：2022-02-11
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
IPC分类号： G01N21/21
摘要： 本发明涉及手性分子探测技术领域，具体涉及一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，栅极置于绝缘层的底部，拓扑绝缘体层置于绝缘层上，源极和漏极置于拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于拓扑绝缘体层上源极和漏极之间，同时应用圆偏振光照射手性分子。不同圆偏振光照射时，手性分子与拓扑绝缘体层之间的异质结不同，从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性，通过拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测。本发明，不需要应用光谱仪等设备，成本低，在手性分子探测方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114486022B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210041884.X
申请日：2022-01-14
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
IPC分类号： G01L1/25
摘要： 本发明涉及微压力探测技术领域，具体涉及一种拓扑绝缘体微压力探测装置，包括太赫兹源、太赫兹探测器、衬底、拓扑绝缘体层、凸起部、施压层，拓扑绝缘体层置于衬底上，凸起部设置在拓扑绝缘体层的表面，施压层设置在凸起部上，太赫兹源发射的太赫兹波穿过施压部，照射拓扑绝缘体层，太赫兹探测器探测拓扑绝缘体层反射的太赫兹波，通过反射太赫兹波的变化实现微压力探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力，本发明将感知装置和太赫兹源、太赫兹探测器分离，能够实现非接触式的微压力探测。另外，由于拓扑绝缘体层的表面态严重地依赖于表面的应力，所以本发明还具有压力探测灵敏度高的优点，在微压力探测领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114414486B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210061204.0
申请日：2022-01-19
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
摘要： 本发明涉及氢气检测技术领域，具体涉及一种基于贵金属耦合的氢气探测器，包括衬底、弹性层、敏感单元，弹性层置于衬底上，敏感单元周期性地置于弹性层上，敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部，钯块设置在弹性层上，第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上，第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时，在待测氢气环境中，连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部，钯块吸附氢气产生膨胀，通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。本发明中，吸附氢气的钯块的尺寸大，而导致共振波长移动的第一贵金属部和第二贵金属部的尺寸小，所以氢气对上述共振波长的调节力度大，从而实现更高灵敏度的氢气探测。
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公开(公告)号：CN114414486A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210061204.0
申请日：2022-01-19
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
摘要： 本发明涉及氢气检测技术领域，具体涉及一种基于贵金属耦合的氢气探测器，包括衬底、弹性层、敏感单元，弹性层置于衬底上，敏感单元周期性地置于弹性层上，敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部，钯块设置在弹性层上，第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上，第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时，在待测氢气环境中，连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部，钯块吸附氢气产生膨胀，通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。本发明中，吸附氢气的钯块的尺寸大，而导致共振波长移动的第一贵金属部和第二贵金属部的尺寸小，所以氢气对上述共振波长的调节力度大，从而实现更高灵敏度的氢气探测。
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公开(公告)号：CN114415079A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210041415.8
申请日：2022-01-14
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
IPC分类号： G01R33/032
摘要： 本发明涉及磁场探测技术领域，具体涉及一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，包括衬底、拓扑绝缘体层、磁致伸缩材料，拓扑绝缘体层置于衬底上，拓扑绝缘体层的表面设有空腔，磁致伸缩材料填充所述空腔。应用时，将该探测装置置于待测环境中，太赫兹源发射太赫兹波，太赫兹波照射本发明的探测装置，通过透射的太赫兹波变化实现磁场探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力，本发明将传感物质与激发源、探测器分离，能够实现非接触式的磁场探测，在磁场探测领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114414485A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210061195.5
申请日：2022-01-19
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
摘要： 本发明涉及氢气检测技术领域，具体涉及一种基于弹性光纤的氢气探测器，包括光源、光探测器、衬底、弹性层、第一弹性光纤、第二弹性光纤、钯膜，弹性层置于衬底上，第一弹性光纤和第二弹性光纤置于弹性层上，第一弹性光纤和第二弹性光纤的端面间设有间隙，第一弹性光纤和第二弹性光纤上端面处设有钯膜，第一弹性光纤的另一端连接光源，第二弹性光纤的另一端连接光探测器。应用时，钯膜吸附待测氢气产生膨胀，改变了间隙的宽度，从而改变了第一弹性光纤至第二弹性光纤之间的传播特性；通过探测传播特性的变化实现氢气探测。本发明仅需要切割光纤，并且对钯膜厚度的精确度要求不高，便于推广应用，在氢气探测领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114414485B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210061195.5
申请日：2022-01-19
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
摘要： 本发明涉及氢气检测技术领域，具体涉及一种基于弹性光纤的氢气探测器，包括光源、光探测器、衬底、弹性层、第一弹性光纤、第二弹性光纤、钯膜，弹性层置于衬底上，第一弹性光纤和第二弹性光纤置于弹性层上，第一弹性光纤和第二弹性光纤的端面间设有间隙，第一弹性光纤和第二弹性光纤上端面处设有钯膜，第一弹性光纤的另一端连接光源，第二弹性光纤的另一端连接光探测器。应用时，钯膜吸附待测氢气产生膨胀，改变了间隙的宽度，从而改变了第一弹性光纤至第二弹性光纤之间的传播特性；通过探测传播特性的变化实现氢气探测。本发明仅需要切割光纤，并且对钯膜厚度的精确度要求不高，便于推广应用，在氢气探测领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114486751A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210127459.2
申请日：2022-02-11
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
IPC分类号： G01N21/21
摘要： 本发明涉及手性分子探测技术领域，具体涉及一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，栅极置于绝缘层的底部，拓扑绝缘体层置于绝缘层上，源极和漏极置于拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于拓扑绝缘体层上源极和漏极之间，同时应用圆偏振光照射手性分子。不同圆偏振光照射时，手性分子与拓扑绝缘体层之间的异质结不同，从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性，通过拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测。本发明，不需要应用光谱仪等设备，成本低，在手性分子探测方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114486022A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210041884.X
申请日：2022-01-14
申请人： 浙江树人学院(浙江树人大学)
IPC分类号： G01L1/25
摘要： 本发明涉及微压力探测技术领域，具体涉及一种拓扑绝缘体微压力探测装置，包括太赫兹源、太赫兹探测器、衬底、拓扑绝缘体层、凸起部、施压层，拓扑绝缘体层置于衬底上，凸起部设置在拓扑绝缘体层的表面，施压层设置在凸起部上，太赫兹源发射的太赫兹波穿过施压部，照射拓扑绝缘体层，太赫兹探测器探测拓扑绝缘体层反射的太赫兹波，通过反射太赫兹波的变化实现微压力探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力，本发明将感知装置和太赫兹源、太赫兹探测器分离，能够实现非接触式的微压力探测。另外，由于拓扑绝缘体层的表面态严重地依赖于表面的应力，所以本发明还具有压力探测灵敏度高的优点，在微压力探测领域具有良好的应用前景。
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