X波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构

    公开(公告)号:CN114421174A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210120202.4

    申请日:2022-02-07

    IPC分类号: H01Q15/00 H01Q17/00

    摘要: 本发明公开了一种X波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构,涉及微波技术领域,单元结构包括第一介质基层、第二介质基层、第一介质基层与第二介质基层之间的空气层;第一介质基层靠近第二介质基层的一侧设置有一个方形环型金属贴片和一个十字型金属贴片;第二介质基层远离第一介质基层的一侧设置有两个方形环型金属贴片,以及焊接在两个方形环型金属贴片上的电阻贴片。本发明公开的一种X波段带内透波带外吸波的频率选择表面单元结构以及依据所述单元结构构成的表面结构,能够提高反射频段的吸收效果,带内透射系数更好,且透波频带的带宽较宽,从而实现X波段带内宽带透波,带外通过加载电阻获得更高的吸收率。

    C波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构

    公开(公告)号:CN114421172A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210116382.9

    申请日:2022-02-07

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本发明公开了一种C波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构,涉及微波技术领域,单元结构包括第一介质基层、第二介质基层、第一介质基层与第二介质基层之间的空气层;第一介质基层靠近第二介质基层的一侧设置有两个十字型镂空金属贴片;第二介质基层远离第一介质基层的一侧设置有两个十字型镂空金属贴片,以及焊接在两个十字型镂空金属贴片上的电阻贴片。本发明公开的一种C波段吸透一体的频率选择表面单元结构以及依据所述单元结构构成的表面结构,能够提高反射频段的吸收效果,带内透射系数更好,且透波频带的带宽较宽,从而实现C波段带内宽带透波,带外通过加载电阻获得更高的吸收率。

    Ku波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构

    公开(公告)号:CN114421173A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210116392.2

    申请日:2022-02-07

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本发明公开了一种Ku波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构,涉及微波技术领域,单元结构包括第一介质基层、第二介质基层、第一介质基层与第二介质基层之间的空气层;第一介质基层靠近第二介质基层的一侧设置有两个镂空八边形金属贴片;第二介质基层远离第一介质基层的一侧设置有两个镂空八边形金属贴片,以及焊接在两个镂空八边形金属贴片上的电阻贴片。本发明公开的一种Ku波段吸透一体的频率选择表面单元结构以及依据所述单元结构构成的表面结构,能够提高反射频段的吸收效果,带内透射系数更好,且透波频带的带宽较宽,从而实现Ku波段带内宽带透波,带外通过加载电阻获得更高的吸收率。