公开(公告)号：CN118894553A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410878412.9

申请日：2024-07-02

申请人： 淮南师范学院

发明人： 王雪莲 ,  张贤 ,  余海军 ,  沈晓波 ,  夏峥嵘 ,  郑庆华

IPC分类号： C01G35/00 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了简单球磨法制备高容量TaS2纳米片锂离子电池负极材料的方法，首先是通过固相法制备TaS2微米片材料，然后将获得的TaS2微米片进行球磨处理，获得TaS2纳米片材料。本发明制备的TaS2纳米片材料在用作锂离子电池负极材料时，由于其具有更大的层间距，使得电极材料在锂离子嵌入/脱出过程中的体积变化得到有效缓解，另外TaS2较高的导电性促进了锂离子和电子的快速转移，以及较小的纳米片结构有效缩短了Li+的扩散距离，加快了反应动力学，制备工艺简单，设备少，成本低，可有望实现商业化应用。

公开(公告)号：CN118598191A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410712863.5

申请日：2024-06-03

申请人： 淮南师范学院

发明人： 王雪莲 ,  沈晓波 ,  张贤 ,  夏峥嵘

IPC分类号： C01G39/06 ,  C01G39/00 ,  H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M10/054

摘要： 本发明属于钠离子电池负极材料技术领域，公开了一种简单水热法制备高倍率性能MoSe2/MoS2纳米片异质结构钠离子电池负极材料的方法，首先是通过简单水热法制备超小的MoSe2纳米片，然后将其置于制备MoS2纳米片的前驱体溶液，再次通过简单的水热法获得MoSe2/MoS2纳米片异质结构。本发明制备的MoSe2/MoS2纳米片异质结构在用作钠离子电池负极材料时，在10Ag‑1的大电流密度下其可逆比容量高达300.2mAhg‑1，表现优异的倍率性能，在钠离子电池负极材料领域表现出较强的应用潜力。