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公开(公告)号：CN106952857B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710193713.8
申请日：2017-03-28
申请人： 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明实施例公开了一种用于晶圆加工的设备，用于降低晶圆键合对在完成器件晶圆背面工艺后拆键合的难度以及成本，提高晶圆键合对拆键合的出片率。本发明实施例方法包括：第一槽、声波发生器、声波换能器、转动螺杆、夹持装置以及支撑装置；转动螺杆的一端与支撑装置相连接，另一端与夹持装置连接，夹持装置用于夹持并吸附加工元件；第一槽的第一侧壁、底部、顶部中的至少一个设有至少一个支撑装置；第一槽的底部设有声波换能器，声波换能器和声波发生器连接。
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公开(公告)号：CN105070683B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510481215.4
申请日：2015-08-07
申请人： 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构，包括：提供一晶圆，该晶圆具备正面和背面，在所述正面形成硅穿孔结构，若干个硅穿孔结构组成硅穿孔结构阵列；在所述硅穿孔结构的表面涂布封装光刻胶；对所述硅穿孔结构的孔底的光刻胶部分进行曝光并显影，形成图形漏出孔底；固化剩余的光刻胶部分，以便在所述硅穿孔结构的孔底形成具备开窗结构的绝缘层。可见，该硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构，采用半导体光刻工艺进行绝缘层底部开窗，提高了传统的等离子体刻蚀氧化硅绝缘层开窗的效率，同时也克服了因激光烧蚀非光敏聚合物绝缘层产生的高温而带来的器件受损，稳定性高、可实施性强且成本低廉。
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公开(公告)号：CN104559852B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410855541.2
申请日：2014-12-31
申请人： 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号： C09J133/04 , C09J133/12 , C09J125/02 , C09J125/16 , C09J167/00 , H01L21/683
CPC分类号： C09J167/02 , C08L25/16 , C09J125/16 , C09J133/04 , C09J133/12
摘要： 本发明公开了一种用于薄晶圆加工的临时键合胶及其制备方法。该临时键合胶以临时键合胶的总质量为100份数计，包含55～70份的溶剂以及溶解或分散于溶剂中30～45份基础树脂，所述基础树脂为热分解温度为320℃以上、熔融指数为24以上的高聚物或者共混高聚物，由此临时键合胶具有热稳定性高、抗腐蚀性强的优点，同时其键合/解键合效率高，残余粘接层易清洗，制备成本较为经济。
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公开(公告)号：CN104804682B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510179451.0
申请日：2015-04-16
申请人： 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号： C09J161/22 , C09J5/06 , C08G12/08
CPC分类号： C08G12/08 , C09J5/06 , C09J161/22
摘要： 本发明公开了晶圆减薄的临时键合胶、其制备方法、键合及解键合方法。该临时键合胶包含用于产生粘合作用的基础树脂，基础树脂为在强酸作用下可解聚成低分子化合物和/或线性低聚物，由此使得键合胶形成的粘合层采用酸液充分浸渍下发生明显的解聚合反应，即体型聚合物的结构被破坏，生成的低分子化合物或线性低聚物使得粘合层失效，达到提高解键合效率。另外，高聚物的分解温度在270℃以上，使得粘合层的热稳定性高。此外，所发明的键合胶抗腐蚀性优良，制备成本较为经济。
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