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公开(公告)号：CN113005037B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110391230.5
申请日：2021-04-12
摘要： 本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置和方法。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本发明培养细胞的方法，通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本发明由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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公开(公告)号：CN113005037A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110391230.5
申请日：2021-04-12
摘要： 本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置和方法。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本发明培养细胞的方法，通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本发明由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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公开(公告)号：CN215209490U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202120745188.8
申请日：2021-04-12
摘要： 本实用新型涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的电极绝缘垫及其非接触电场装置。用于细胞培养的电极绝缘垫包括金属电极片、用于容纳金属电极片且隔绝金属电极片与细胞培养液接触的绝缘垫套件，所述绝缘垫套件设有用于与细胞培养孔板固定的安装结构。非接触电场装置，包括上述电极绝缘垫和细胞培养孔板，所述电极绝缘垫相对固定于细胞培养孔板的壁上。本实用新型通过非接触电场装置，在细胞培养孔内形成水平电场，实现非接触给与细胞水平电场刺激。本实用新型由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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公开(公告)号：CN113122448B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110391165.6
申请日：2021-04-12
摘要： 本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的非接触电场装置及其细胞培养方法。该用于细胞培养的非接触电场装置包括细胞培养板、底座、以及上盖，细胞培养板放置于底座和上盖之间；底座上设有第一导电金属电极；上盖设置第二导电金属电极，第二导电金属电极表面设有绝缘材料，与细胞培养液隔离开来；第一导电金属电极和第二导电金属电极分别连接电源的正负极，在每个细胞培养孔中形成给予细胞电场刺激的竖直方向电场。本发明可形成独立单一电场，也可形成多个独立电场，便于开展多组实验。由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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公开(公告)号：CN113122448A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110391165.6
申请日：2021-04-12
摘要： 本发明涉及生物医疗领域及医疗设备技术，公开了一种用于细胞培养的非接触电场装置及其细胞培养方法。该用于细胞培养的非接触电场装置包括细胞培养板、底座、以及上盖，细胞培养板放置于底座和上盖之间；底座上设有第一导电金属电极；上盖设置第二导电金属电极，第二导电金属电极表面设有绝缘材料，与细胞培养液隔离开来；第一导电金属电极和第二导电金属电极分别连接电源的正负极，在每个细胞培养孔中形成给予细胞电场刺激的竖直方向电场。本发明可形成独立单一电场，也可形成多个独立电场，便于开展多组实验。由于金属电极没有与细胞培养液接触，因此在通电后，电流没有经过细胞培养液，不会电分解细胞培养液而影响培养液的化学环境等。
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公开(公告)号：CN116953334A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310962103.5
申请日：2023-08-01
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
摘要： 本发明公开了一种10GHz脉冲高电压信号测量装置及方法，测量装置包括信号传输结构和探头；信号传输结构采用内外导体同轴结构，用于对脉冲高电压信号进行传输；信号传输结构和探头结构构成电容分压器，利用该电容分压器进行脉冲高电压信号的传输与测量。本发明采用同轴传输线结构来实现脉冲高电压信号的传输，同时利用同轴探头结构并在探头与传输线外导体之间形成绝缘膜，从而实现探头与对应传输线外导体尺寸的精密配合，有效减小探头绝缘的杂散参数，提高探头的高频响应能力。
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公开(公告)号：CN113990967B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111241120.7
申请日：2021-10-25
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电阻率小于10‑6Ω·cm2的光导开关，使采用该光导开关的冲激脉冲源提高了输出功率。
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公开(公告)号：CN114361287A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210003973.5
申请日：2022-01-04
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： H01L31/111 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片，所述硅基光触发多门极半导体开关芯片包括依次形成的阴极电极、PN结结构和阳极电极，所述PN结结构为N+PN‑NP+结构，从上到下依次包括N+层、基层、N‑层、N层和P+层，通过所述PN结结构实现降低光触发多门极半导体开关芯片的漏电流。所述PN结结构为N+PN‑NP+结构的形成方式包括：将N基区分成N‑层和N层，或者在P区和N基区之间增加N‑层。所述阴极电极的结构为圆环状或梳条状电极结构。本发明解决了传统光触发多门极半导体开关芯片在高温(125℃)工作时由于晶体管增益会产生较大漏电流而使开关导通，导致应用系统崩溃或无法使用的问题。
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公开(公告)号：CN111082792A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911386053.0
申请日：2019-12-29
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： H03K17/94 , H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种光控半导体开关。所述的光控半导体开关的内部包括从上至下依次排列的屏蔽地电极、片式半导体激光器、激光分光耦合器、大面积半导体单元和屏蔽高压电极，在片式半导体激光器、激光分光耦合器的间隙内连接有取电模块或升压模块，光控半导体开关的侧面包裹有绝缘封装外壳，绝缘封装外壳与屏蔽电极共同构成光控半导体开关封装外壳；光控半导体开关的供电与触发信号接口伸出光控半导体开关封装外壳。本发明的光控半导体开关可以用于高功率脉冲电源、紧凑型高功率脉冲组件、小体积高能量脉冲触发等多种场合，具有功率容量高、可靠性高、寿命长、体积小等多种优势。
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公开(公告)号：CN107192931A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710585588.5
申请日：2017-07-18
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01R31/12 , G01R31/26 , G01R31/327
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R31/129 , G01R31/3272
摘要： 本发明公开了一种高压脉冲电容器与开关综合实验平台，包括：主回路测试模块，用于放置被测试部件，将被测部件连接入测试回路进行测试；直流局放测试模块，用于诊断高压脉冲电容器在高电压过程中产生的直流局部放电信号；重频触发电源模块，用于触发控制主回路测试模块中的高压开关；直流测量及高压接地开关，用于高压脉冲电容器的高压直流监测和安全接地；气体处理单元模块，用于高压开关的气体循环与处理；放电参数检测及判断模块，用于监测高压脉冲电容器与开关的参数；总控单元模块，用于将数据进行集中化处理，保证实验平台中的自动化运行，实现了通过本试验平台能够自动化高效的对高压脉冲电容器与开关进行试验的技术效果。
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