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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119733774A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510201190.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 深圳市鑫德普科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种蜂窝CMP抛光皮开孔装置，涉及冲孔设备技术领域，包括固定座，固定座上固定连接有支架，支架上固定连接有液压杆，液压杆的输出端固定连接有上冲孔机构，固定座位于上冲孔机构下方的位置固定连接有安装座，安装座上开设有放置槽，放置槽内设有下冲孔机构，安装座上靠近下冲孔机构的位置阵列开设有至少三个滑动槽，滑动槽内滑动连接有用于固定抛光皮的固定机构，本发明设置的上冲孔机构和下冲孔机构进行冲孔，产生的废料将落至收集槽内，避免废料的堵塞影响下次的冲孔，避免人工去处理废料，提高工作的效率，在下支撑板移动的过程中使放置槽内的空气从连通口处排出，将废料吹向收集槽与外界相连通的位置，便于废料的清除。
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公开(公告)号：CN119121368B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411606040.0
申请日：2024-11-12
Applicant: 深圳市鑫德普科技有限公司
IPC: C25F3/30 , C25F7/00 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B49/00 , C08L71/10 , C08L79/08 , C08L81/02 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08J7/12 , B29C48/07 , B23K26/382
Abstract: 本发明提供了一种半导体硅片电化学机械抛光方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括使用超纯水和丙酮对硅片进行清洗并用氮气吹干，随后配置含有柠檬酸、硫酸钠、葡萄糖酸钠、磷酸钠、表面活性剂、增效剂、硝酸镧、二氧化钛、几丁质及去离子水的电解质溶液；将硅片固定于抛光头上，使用带有均匀分布通孔的抛光垫，设定电流密度、抛光时间和抛光台旋转速度，启动抛光程序。本发明通过优化电解质溶液配方、抛光工艺参数以及抛光垫的制备方法，有效提高了硅片表面的平整度，减少表面缺陷，提升了抛光质量和效率，降低了生产成本，并增强了工艺的环保性和可持续性。
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公开(公告)号：CN119017280B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411519084.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 深圳市鑫德普科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种蜂窝CMP化学机械抛光垫及其制备工艺。所述制备工艺包括以下步骤：（1）制备预聚体；（2）搅拌条件下，将1500‑1540重量份冰水混合物加入到预聚体中，搅拌15‑20min，然后加入10‑13重量份乙二胺和50‑60重量份水组成的溶液，继续搅拌5‑6h，脱去丙酮，得到聚氨酯材料；（3）将聚氨酯材料加入模具中在100‑110℃干燥20‑30min，裁剪，得到蜂窝CMP化学机械抛光垫。本发明制备的蜂窝CMP化学机械抛光垫综合性能优异，可以用作半导体制造过程中的抛光件。
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公开(公告)号：CN119121368A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411606040.0
申请日：2024-11-12
Applicant: 深圳市鑫德普科技有限公司
IPC: C25F3/30 , C25F7/00 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B49/00 , C08L71/10 , C08L79/08 , C08L81/02 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08J7/12 , B29C48/07 , B23K26/382
Abstract: 本发明提供了一种半导体硅片电化学机械抛光方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括使用超纯水和丙酮对硅片进行清洗并用氮气吹干，随后配置含有柠檬酸、硫酸钠、葡萄糖酸钠、磷酸钠、表面活性剂、增效剂、硝酸镧、二氧化钛、几丁质及去离子水的电解质溶液；将硅片固定于抛光头上，使用带有均匀分布通孔的抛光垫，设定电流密度、抛光时间和抛光台旋转速度，启动抛光程序。本发明通过优化电解质溶液配方、抛光工艺参数以及抛光垫的制备方法，有效提高了硅片表面的平整度，减少表面缺陷，提升了抛光质量和效率，降低了生产成本，并增强了工艺的环保性和可持续性。
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公开(公告)号：CN119017280A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519084.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 深圳市鑫德普科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种蜂窝CMP化学机械抛光垫及其制备工艺。所述制备工艺包括以下步骤：（1）制备预聚体；（2）搅拌条件下，将1500‑1540重量份冰水混合物加入到预聚体中，搅拌15‑20min，然后加入10‑13重量份乙二胺和50‑60重量份水组成的溶液，继续搅拌5‑6h，脱去丙酮，得到聚氨酯材料；（3）将聚氨酯材料加入模具中在100‑110℃干燥20‑30min，裁剪，得到蜂窝CMP化学机械抛光垫。本发明制备的蜂窝CMP化学机械抛光垫综合性能优异，可以用作半导体制造过程中的抛光件。
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