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公开(公告)号：CN118630577A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411106339.X
申请日：2024-08-13
申请人： 深圳技术大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了基于相变材料超透镜阵列的可控变焦距激光器，包括衬底及平整化层；n型布拉格反射镜与衬底的上端面相抵接；有源层、电流限制层及p型布拉格反射镜依次设置于n型布拉格反射镜上层，平整化层对所述器件本体的四周进行包裹；p型布拉格反射镜的顶面上未覆盖p型电极的区域设置有超透镜阵列，超透镜阵列的一面覆盖设置透明加热电极。上述可控变焦距激光器，超透镜阵列在外部热场或电场的作用下在非晶态与晶态之间进行可重构的、非易失的、可编程的切换，对热量敏感的相变材料随电压的改变折射率也随之改变，因折射率改变导致等相位面的改变，从而导致超透镜焦距的改变，进而调节激光束的聚焦情况，达到灵活、精准控制激光器焦距的目的。
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公开(公告)号：CN118448982A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410917723.1
申请日：2024-07-10
申请人： 深圳技术大学
摘要： 本发明公开了一种高速多次谐波倍频光子晶体面发射激光器及其制备方法。其中，激光器包括：高速VCSEL及与高速VCSEL键合的基于连续束缚态的多次谐波光子晶体，其中，高速VCSEL由下至上依次包括衬底层、缓冲层、n型电极、n型DBR、间隔层、有源区、p型DBR、氧化限制层以及p型电极；多次谐波光子晶体包括多次谐波光子晶体平板层和光敏BCB键合层；光敏BCB键合层设于p型电极及多次谐波光子晶体平板层之间，多次谐波光子晶体平板层中设有基于连续束缚态的可激发多次谐波的光子晶体结构。实施本发明提高了短波长激光器的高速调制性能。
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公开(公告)号：CN117856038A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410042680.7
申请日：2024-01-11
申请人： 深圳技术大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种长波长面发射激光器及其制作方法，包括：由下及上依次设置的InP衬底层、InP缓冲层、N型接触层、N‑DBR、N间隔层、多结级联有源区、P间隔层、掩埋隧道结、InP填平层、混合介质镜、P型接触层；其中，N‑DBR固接在InP缓冲层的顶端，N型接触层环绕N‑DBR设置；多结级联有源区通过N间隔层固接在N‑DBR的顶端；多结级联有源区的顶端为p间隔层，p间隔层的上边为InP填平层包围的掩埋隧道结；InP填平层的顶部为混合介质镜。本发明的长波长面发射激光器结构提高了激光器输出光束的单色性和热稳定性，提高器件的输出功率和转化效率，增强了器件的环境适应性，优化了激光器的性能。
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公开(公告)号：CN117134193B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311305968.0
申请日：2023-10-10
申请人： 深圳技术大学
摘要： 本发明涉及激光技术领域，特别是涉及一种硅基电泵浦钙钛矿光子晶体面发射激光器。本发明激光器的有源区包括依次设置的n型超晶格层、二维钙钛矿发光层和p型超晶格层。该激光器的结构由下至上依次为Si基底，氧化硅层，n型电极，n型砷化镓层，n型渐变折射率层，n型砷化铝镓层，n型超晶格层，二维钙钛矿发光层，p型超晶格层，氮化硅层，p型砷化铝镓层，p型渐变折射率层，p型砷化镓层，ITO层和p型电极。本发明在硅基上直接制备了高稳定性的面发射激光器，避免了传统硅基异质集成中直接外延生长和晶片键合等复杂工艺，本发明产品可采用旋涂法和热蒸发方法制备，工艺简单，为硅基片上光互联、单片集成光电芯片等应用提供了可行性方案。
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公开(公告)号：CN118448982B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410917723.1
申请日：2024-07-10
申请人： 深圳技术大学
摘要： 本发明公开了一种高速多次谐波倍频光子晶体面发射激光器及其制备方法。其中，激光器包括：高速VCSEL及与高速VCSEL键合的基于连续束缚态的多次谐波光子晶体，其中，高速VCSEL由下至上依次包括衬底层、缓冲层、n型电极、n型DBR、间隔层、有源区、p型DBR、氧化限制层以及p型电极；多次谐波光子晶体包括多次谐波光子晶体平板层和光敏BCB键合层；光敏BCB键合层设于p型电极及多次谐波光子晶体平板层之间，多次谐波光子晶体平板层中设有基于连续束缚态的可激发多次谐波的光子晶体结构。实施本发明提高了短波长激光器的高速调制性能。
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公开(公告)号：CN118249201B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410675555.X
申请日：2024-05-29
申请人： 深圳技术大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种新型垂直腔面发射激光器结构及其制作方法，包括：自下而上依次设置的衬底层、下层N型DBR、有源区、上层N型DBR及混合介质DBR，其中在有源区的靠近上层N型DBR一侧上设置有二类隧道结，其中所述二类隧道结嵌入到所述上层N型DBR的底部被所述上层N型DBR包围，所述衬底层、下层N型DBR、有源区、上层N型DBR、混合介质DBR及二类隧道结均为同轴的椭圆柱体；负电极设置于所述下层N型DBR上，正电极设置于所述上层N型DBR上；通过上述技术方案，本发明能够得到较高调制带宽，改善电流注入效率，并提高激光器的可靠性、可重复性、散热性能和模式稳定性，优化激光器的性能。
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公开(公告)号：CN118249201A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410675555.X
申请日：2024-05-29
申请人： 深圳技术大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种新型垂直腔面发射激光器结构及其制作方法，包括：自下而上依次设置的衬底层、下层N型DBR、有源区、上层N型DBR及混合介质DBR，其中在有源区的靠近上层N型DBR一侧上设置有二类隧道结，其中所述二类隧道结嵌入到所述上层N型DBR的底部被所述上层N型DBR包围，所述衬底层、下层N型DBR、有源区、上层N型DBR、混合介质DBR及二类隧道结均为同轴的椭圆柱体；负电极设置于所述下层N型DBR上，正电极设置于所述上层N型DBR上；通过上述技术方案，本发明能够得到较高调制带宽，改善电流注入效率，并提高激光器的可靠性、可重复性、散热性能和模式稳定性，优化激光器的性能。
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公开(公告)号：CN118174140A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410279519.1
申请日：2024-03-12
申请人： 深圳技术大学
摘要： 本发明公开了一种晶圆融合集成多结长波长面发射激光器及制作方法，包括：面发射激光器VCSEL结构和调制器EOM结构；面发射激光器VCSEL结构由下及上依次包括GaAs基衬底、GaAs缓冲层、第一N型掺杂DBR、谐振腔、掩埋隧道结、填平层、P型掺杂DBR；调制器EOM结构由下及上包括P型掺杂DBR、第一波导层、吸收层、第二波导层、第二N型掺杂DBR；面发射激光器VCSEL结构和调制器EOM结构共用P型掺杂DBR。本发明能显著改善散热问题，减小出射光的发散角，提升输出光束质量。
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公开(公告)号：CN117134193A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311305968.0
申请日：2023-10-10
申请人： 深圳技术大学
摘要： 本发明涉及激光技术领域，特别是涉及一种硅基电泵浦钙钛矿光子晶体面发射激光器。本发明激光器的有源区包括依次设置的n型超晶格层、二维钙钛矿发光层和p型超晶格层。该激光器的结构由下至上依次为Si基底，氧化硅层，n型电极，n型砷化镓层，n型渐变折射率层，n型砷化铝镓层，n型超晶格层，二维钙钛矿发光层，p型超晶格层，氮化硅层，p型砷化铝镓层，p型渐变折射率层，p型砷化镓层，ITO层和p型电极。本发明在硅基上直接制备了高稳定性的面发射激光器，避免了传统硅基异质集成中直接外延生长和晶片键合等复杂工艺，本发明产品可采用旋涂法和热蒸发方法制备，工艺简单，为硅基片上光互联、单片集成光电芯片等应用提供了可行性方案。
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