公开(公告)号：CN117619440A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311621584.X

申请日：2023-11-29

申请人： 深圳竞沃创新科技有限公司

发明人： 许家驹 ,  齐飞 ,  陈锦标 ,  陈俊敏 ,  林孟平

IPC分类号： B01J31/12 ,  C02F1/72 ,  C02F101/30

摘要： 本发明公开了一种硅胶负载钴酞菁催化剂及其制备方法和应用，其中硅胶负载钴酞菁催化剂的制备方法的步骤包括:(1)将钴酞菁、硅胶和第一有机溶剂混合后进行超声处理；(2)将步骤(1)后的混合物依次进行搅拌、过滤、洗涤、真空干燥，得到硅胶负载钴酞菁催化剂；钴酞菁的结构如式I或式II所示：R为‑NO2、‑F、‑CF3或‑CCl3。本发明的硅胶负载钴酞菁催化剂的制备方法的工艺简单，原料价廉易得，而且可制备出具有优良的催化性能、能避免Co2+溶解、能回收和循环使用的硅胶负载钴酞菁催化剂。

公开(公告)号：CN117529194A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311682886.8

申请日：2023-12-08

申请人： 深圳竞沃创新科技有限公司

发明人： 许家驹 ,  陈锦标 ,  陈俊敏 ,  林孟平

IPC分类号： H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K50/17 ,  H10K50/15

摘要： 本发明公开了一种空穴注入/传输层及制备方法和OLED器件及制备方法，其中空穴注入/传输层的制备方法的步骤包括：(1)将碘化铅溶于第一有机溶剂中，经超声处理得到PbI2旋涂液；(2)将PbI2旋涂液旋涂于基底上；(3)于步骤(2)后进行第一退火处理，得到空穴注入/传输层。本发明采用碘化铅旋涂液在基底表面旋涂成膜制得空穴注入/传输层，由于PbI2空穴载流子迁移率高且能级合适，因此空穴注入/传输层可同时作为空穴注入层和空穴传输层，空穴传输层和空穴注入层选用相同的PbI2材料，使得原料价格低廉、制备工艺简单且制得的空穴注入/传输层能显著提高OLED器件电致发光性能；此外，碘化铅旋涂液采用液相旋涂的成膜方法可进一步简化工艺及降低成本。