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公开(公告)号：CN119698232A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411959080.3
申请日：2024-12-26
Applicant: 深圳量旋科技有限公司 , 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及量子芯片，应用于量子技术领域，包括：将制备有底层线路的晶圆第一次放入缓冲氧化物刻蚀液，去除底层线路表面的氧化层；在晶圆表面设置光刻胶，并对光刻胶曝光显影进行图案化；将显影后的晶圆第二次放入缓冲氧化物刻蚀液，去除底层线路表面再次生成的氧化层；基于晶圆表面设置的图案化光刻胶，设置与底层电路连接的约瑟夫森结。在光刻工艺之前先使用缓冲氧化物刻蚀液第一次对晶圆表面的氧化层进行去除，在光刻工艺的显影后使用缓冲氧化物刻蚀液第二次对晶圆表面氧化层进行去除，以保证在生长约瑟夫森结时底层线路表面不具有氧化层。而使用缓冲氧化物刻蚀液去除氧化层可以避免加剧二能级系统损耗。
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公开(公告)号：CN119855480A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411982252.9
申请日：2024-12-27
Applicant: 深圳量旋科技有限公司 , 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石衬底通孔、超导量子芯片制造方法及超导量子芯片。所述蓝宝石衬底通孔制造方法包括：清洗并干燥蓝宝石衬底；将清洗并干燥后的蓝宝石衬底固定于三维定位平台上，该三维定位平台用于根据预定的加工位置移动所述蓝宝石衬底，以实现相对加工的贝塞尔光束纳米级的位移；通过飞秒激光光源系统，按照预设的激光工艺参数，发射贝塞尔光束，并按照预设的激光扫描路径，使贝塞尔光束聚焦至蓝宝石衬底待加工通孔的至少一个位置，对所述至少一个位置进行通孔加工。本发明解决了蓝宝石衬底上难开通孔的问题，满足了超导量子芯片中蓝宝石衬底上通孔高质量要求，为未来超导量子比特大规模扩展的实现提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN119855479A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411986621.1
申请日：2024-12-26
Applicant: 深圳量旋科技有限公司 , 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森结、超导量子芯片制备方法及相关产品。所述约瑟夫森结的制备方法包括：在衬底上旋涂第一层光刻胶并烘烤；再次旋涂第二层光刻胶并烘烤；对第一层光刻胶和第二层光刻胶进行曝光并在曝光后显影，在第一层光刻胶和第二层光刻胶中形成交叉形间隙的图案；对显影后的衬底使用等离子体对交叉形间隙中残留的光刻胶进行清洗；然后再把衬底放入TMAH溶液中浸泡以去除交叉形间隙处残留的光刻胶；在交叉形间隙中蒸镀相互交叉的金属沉积层；剥离剩余的第一层光刻胶和第二光刻胶，得到约瑟夫森结。本发明在基本不影响阻挡层光刻胶侧壁尺寸的情况下，可很好地去除交叉形间隙残留的光刻胶，提高了约瑟夫森结的制备质量和超导量子芯片的性能。
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公开(公告)号：CN119768035A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411975665.4
申请日：2024-12-26
Applicant: 深圳量旋科技有限公司 , 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种空气桥制备方法及量子芯片，应用于量子技术领域，包括：在基底的表面设置第一光刻胶层；在第一光刻胶层的表面设置第二光刻胶层；第二光刻胶层的粘度小于第一光刻胶层的粘度；基于第一光刻胶层与第二光刻胶层的叠层光刻胶结构制备桥撑；基于桥撑制备空气桥。通过使用两层光刻胶的叠层结构制备桥撑，其中位于下层不与空气桥直接接触的第一光刻胶层的粘度较大，可以起到良好的支撑作用，保证空气桥具有大跨度，高尺寸；位于上层与空气桥直接接触的第二光刻胶层的粘度较小，可以有效减少桥撑的内部应力，从而避免在去胶后空气桥因应力的变化导致的形变、断裂等问题，保证空气桥具有良好的形貌。
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公开(公告)号：CN119744399A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202380010839.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片及相关量子计算设备。所述量子芯片包括：多个结构元件；所述多个结构元件中，至少包括两个存在交叉区域的结构元件；在所述交叉区域中，设置有屏蔽结构；所述屏蔽结构在垂直方向上位于所述两个存在交叉区域的结构元件之间。本发明可以很好地起到屏蔽两个结构元件的作用，避免两个存在交叉区域的结构元件之间产生的耦合、信号串扰的问题，保证了量子比特的使用寿命，提高了量子芯片的使用可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116568124A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310725727.5
申请日：2023-06-16
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法，涉及量子芯片技术领域，包括在衬底表面设置电子束光刻胶；基于电子束光刻设备，以预设曝光剂量对电子束光刻胶进行过曝光，基于电子束曝光过程中的前散射，在电子束光刻胶中形成底切结构；在对电子束光刻胶进行过曝光之后，对电子束光刻胶进行显影，在电子束光刻胶中制成具有底切结构的沟槽；基于具有底切结构的沟槽制备约瑟夫森结。在仅设置一层电子束光刻胶的前提下，基于过曝光的方式通过大剂量曝光实现底切结构，过曝光保证了衬底无残胶，更易于超导材料在衬底上的黏附，同时减少了杂质，提高了品质因子；仅一层光刻胶的使用使其具有灵敏度高，曝光时间短，线宽稳定，分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN119654056A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311199434.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片的制备方法、量子芯片和量子计算设备。所述量子芯片的制备方法包括：在芯片衬底上制备芯片电路层；芯片电路层中包含第一结构元件和第二结构元件的两个结构子部件；两个结构子部件分别位于第一结构元件的两侧；在两个结构子部件的内侧，在第一结构元件上方制备出跨越第一结构元件的屏蔽结构；制备第二结构元件中用于连接两个结构子部件的连接部，且位于屏蔽结构的上方。本发明在单颗芯片上实现量子比特的扩展架构的同时，又很好地起到了屏蔽两个存在交叉区域的结构元件的作用，避免或减少两个存在交叉区域的结构元件之间产生的耦合、信号串扰的问题，保证了量子比特的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116847721A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310731446.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
IPC: H10N60/01 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种空气桥的制备方法，涉及量子芯片技术领域，包括以预设的曝光剂量分布对电子束光刻胶中的空气桥区域进行灰度曝光，在空气桥区域中形成桥撑结构；曝光剂量分布中，对应桥墩区域的曝光剂量大于对应桥面区域的曝光剂量，且从桥墩区域至桥面区域的曝光剂量均匀变化；空气桥区域外侧不进行曝光；在进行曝光之后，对电子束光刻胶进行显影，在空气桥区域中制成桥撑；在设置超导层后，去除设置在侧壁表面的超导层，剥离电子束光刻胶，制成空气桥。基于电子束灰度曝光，可以在一次曝光显影过程中形成具有斜面的桥撑结构，以及在桥撑四周形成垂直的侧壁。之后可以选择性去除侧壁表面的超导层，最后在剥离电子束光刻胶，以减少工艺步骤。
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公开(公告)号：CN119698233A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411907749.4
申请日：2024-12-20
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
Abstract: 本申请涉及超导量子芯片3D集成领域，公开了一种超导量子芯片及其制备方法，包括：相对设置的第一芯片和第二芯片；位于所述第一芯片相对于所述第二芯片表面的第一超导层和读出控制部；位于所述第二芯片相对于所述第一芯片表面的第二超导层和约瑟夫森结；位于所述第一超导层和所述第二超导层之间的超导柱体和光刻胶垫片，所述超导柱体位于所述光刻胶垫片的内侧。使用光刻胶垫片作为第一芯片和第二芯片之间的支撑垫片，光刻胶垫片厚度均匀性好并且厚度容易控制，可以避免单纯的超导柱体支撑导致的倾斜的问题，并且可以更好的控制第一芯片和第二芯片之间的间距。光刻胶垫片的制作简单，可以与晶圆级加工相适应，同时与低损耗芯片的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN118302033A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410509359.5
申请日：2024-04-25
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子比特结构及其制作方法，涉及超导量子技术领域，采用刻蚀工艺来制作超导体，即基于掩膜对超导材料层进行刻蚀的工艺制作第一超导体和第二超导体，该基于掩膜的刻蚀工艺较为成熟，有效提高了量子比特结构的均匀性和良率。本发明提供的制作方法无需采用双角度蒸发和剥离工艺，进而无需对相关的制作设备进行特殊设计，适用于大规模量产。
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