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公开(公告)号：CN1321886C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510098719.4
申请日：2005-09-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中，利用二茂铁和二甲苯作为反应物，通过化学气相沉积法制备碳纳米管，控制生长时间，可在硅基底上获得三维图形化生长的碳纳米管阵列，该制备方法简单，容易控制，图形化效果好。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1769546A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410088424.4
申请日：2004-11-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为二茂铁和二甲苯。制备时，首先将洁净的硅基底置于石英真空管式炉中，使炉管内气压达到40Pa以下，并使炉温升至碳纳米管沉积所需温度。随后将一定浓度范围内的二茂铁/二甲苯溶液注入炉管中，此过程中须控制溶液注入速度，同时调节真空蝶阀以使炉内气压稳定在某一范围内。反应完成后使系统开始降温，同时保持系统抽真空状态直至系统降至一定温度以下。此方法可在硅基底上得到定向准直生长的碳纳米管阵列，在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1322177C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410088424.4
申请日：2004-11-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为二茂铁和二甲苯。制备时，首先将洁净的硅基底置于石英真空管式炉中，使炉管内气压达到40Pa以下，并使炉温升至碳纳米管沉积所需温度。随后将一定浓度范围内的二茂铁/二甲苯溶液注入炉管中，此过程中须控制溶液注入速度，同时调节真空蝶阀以使炉内气压稳定在某一范围内。反应完成后使系统开始降温，同时保持系统抽真空状态直至系统降至一定温度以下。此方法可在硅基底上得到定向准直生长的碳纳米管阵列，在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117669358A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311292841.X
申请日：2023-10-08
申请人： 中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06N20/00 , G06Q50/26 , G06F119/08
摘要： 一种基于SWAT模型和机器学习的流域产水产沙演进模拟方法。该方法在获取雅鲁藏布江流域的包括可执行文件的SWAT模型和相应流域中水文站点在所需时间段内采集的水文数据后，采用SUFI2方法，基于所需时间段雅鲁藏布江流域中目标数据的实测值，对预先设定的各参数分为上、中、下游三个子区域分别进行调参，得到一组反映气候和下垫面空间异质性的参数。并通过机器学习建立三个子区域水沙与主要气候因子和下垫面因子之间的复杂关系，解决高寒流域水沙资料缺少导致机理不明晰的问题。本发明能充分考虑流域中不同区域的空间异质性，结合机器学习分析流域水沙变化机理，为流域水沙资源管理和预测提供支撑。
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公开(公告)号：CN1730387A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510098719.4
申请日：2005-09-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中，利用二茂铁和二甲苯作为反应物，通过化学气相沉积法制备碳纳米管，控制生长时间，可在硅基底上获得三维图形化生长的碳纳米管阵列，该制备方法简单，容易控制，图形化效果好。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。
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