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公开(公告)号：CN116178768B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310040769.5
申请日：2023-01-12
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 本发明提供一种聚合物基电介质及其制备方法和应用，聚合物基电介质包括空穴阻挡层、电子阻挡层以及位于空穴阻挡层、电子阻挡层之间的聚合物层；其中，所述电子阻挡层的最低未占据分子轨道能级高于所述聚合物层的所述最低未占据分子轨道能级；所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级低于所述聚合物层的最高占据分子轨道能级，能够显著改善薄膜电容器耐高温性能。
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公开(公告)号：CN116178768A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310040769.5
申请日：2023-01-12
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 本发明提供一种聚合物基电介质及其制备方法和应用，聚合物基电介质包括空穴阻挡层、电子阻挡层以及位于空穴阻挡层、电子阻挡层之间的聚合物层；其中，所述电子阻挡层的最低未占据分子轨道能级高于所述聚合物层的所述最低未占据分子轨道能级；所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级低于所述聚合物层的最高占据分子轨道能级，能够显著改善薄膜电容器耐高温性能。
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公开(公告)号：CN112789326B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202080003916.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种高温储能杂化聚醚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用，属于聚合物电容器薄膜技术领域，包括：将带有羟基官能团的聚醚酰亚胺单体反应合成带羟基端基或侧链的聚醚酰胺酸溶液，再向其中加入水和金属醇盐作为无机组分前驱体，形成均匀的溶胶，通过涂膜和热亚胺化处理，制备出薄膜。通过一步合成法制备，并在杂化过程引入的无机相，实现分子级分散，改善了无机相的团聚和与有机相的界面相容性，提高了介电薄膜在高温下的储能性能。本发明所得杂化电介质材料在在200℃、90％效率下的储能密度可以达到3.0‑3.64J/cm3，大大超过现有电介质。且击穿强度、泄漏电流、玻璃化转变温度等其他性能均有提升，综合介电性能好。
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公开(公告)号：CN112789326A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202080003916.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种高温储能杂化聚醚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用，属于聚合物电容器薄膜技术领域，包括：将带有羟基官能团的聚醚酰亚胺单体反应合成带羟基端基或侧链的聚醚酰胺酸溶液，再向其中加入水和金属醇盐作为无机组分前驱体，形成均匀的溶胶，通过涂膜和热亚胺化处理，制备出薄膜。通过一步合成法制备，并在杂化过程引入的无机相，实现分子级分散，改善了无机相的团聚和与有机相的界面相容性，提高了介电薄膜在高温下的储能性能。本发明所得杂化电介质材料在在200℃、90％效率下的储能密度可以达到3.0‑3.64J/cm3，大大超过现有电介质。且击穿强度、泄漏电流、玻璃化转变温度等其他性能均有提升，综合介电性能好。
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