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公开(公告)号：CN1304335C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510076888.8
申请日：2005-06-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料，含有下述重量份数比的组分：Bi2O340—80，B2O35—20，SiO25—30，助熔剂0—2，陶瓷材料1—50。其制备方法包括如下步骤：(1)向含有上述重量份数组分的混合物料中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新研磨成粉末；(2)将所得粉末在500—600℃下煅烧2—4小时，研磨后得到该材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点：(1)烧结温度低于700℃；烧结收缩率可控制在0—20%；(2)介电常数在5—20(1GHz)之间；(3)制备工艺简单、成本低、没有毒副作用；(4)可以应用于高频电路、可集成化的陶瓷基板、谐振器、滤波器等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。
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公开(公告)号：CN1693286A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510076888.8
申请日：2005-06-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料，含有下述重量份数比的组分：Bi2O340－80，B2O35－20，SiO25－30，助熔剂0－2，陶瓷材料1－50。其制备方法包括如下步骤：(1)向含有上述重量份数组分的混合物料中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新研磨成粉末；(2)将所得粉末在500－600℃下煅烧2－4小时，研磨后得到该材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点：(1)烧结温度低于700℃；烧结收缩率可控制在0－20％；(2)介电常数在5－20(1GHz)之间；(3)制备工艺简单、成本低、没有毒副作用；(4)可以应用于高频电路、可集成化的陶瓷基板、谐振器、滤波器等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。
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公开(公告)号：CN1267376C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410004504.7
申请日：2004-02-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种低温共烧的玻璃陶瓷组合材料。是基于Ba-B-Si-Ti体系的玻璃陶瓷材料，通过添加调节剂，将材料的烧结温度降低到950℃以下，并获得了介电常数在4-50(1GHz)之间，介质损耗系数在0.01以下的玻璃陶瓷组合材料。该组合材料按各组分重量比组成如下：BaO：10-30wt%，TiO2：20-60wt%，B2O3：6-10wt%，SiO2：5-50wt%和调节剂2-15wt%。该材料适用于多层电子部件的制造，如微波谐振器、滤波器、片式电感、电容等。
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公开(公告)号：CN1559981A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410004504.7
申请日：2004-02-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种低温共烧的玻璃陶瓷组合材料。是基于Ba－B－Si－Ti体系的玻璃陶瓷材料，通过添加调节剂，将材料的烧结温度降低到950℃以下，并获得了介电常数在4－50(1GHz)之间，介质损耗系数在0.01以下的玻璃陶瓷组合材料。该组合材料按各组分重量比组成如下：BaO：10－30wt％，TiO2：20－60wt％，B2O3：6－10wt％，SiO2：5－50wt％和调节剂2－15wt％。该材料适用于多层电子部件的制造，如微波谐振器、滤波器、片式电感、电容等。
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