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公开(公告)号：CN100452208C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610167682.0
申请日：2005-03-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11B7/26 , G11B7/0045 , G11B7/125 , G11B7/007
摘要： 本发明提供了用于制作道间距小于0.52微米的多阶只读光盘的方法，该方法包括以下步骤：a)将二进制的用户数据通过纠错编码和多阶调制编码形成多阶编码序列，生成控制母盘刻录的写入信号，并将多阶只读母盘的道间距设定为小于0.52微米；b)用写入信号控制激光器输出的刻录激光的功率，对母盘盘片进行刻录，生成多阶只读母盘；c)以多阶只读母盘为模具，复制出金属制的压模；以及d)使用压模模压复制出多阶只读光盘。根据本发明的方法结合了多阶技术和游长受限编码的优点，在不改变激光波长和光学数值孔径的情况下，能显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的只读光盘系统保持了最大的兼容性。
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公开(公告)号：CN100347775C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510053509.3
申请日：2005-03-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及多阶只读光盘及其制法，该多阶只读光盘具有多种记录坑，多种记录坑的、沿记录坑的宽度方向的纵截面为多阶任意形状，不同阶数的记录坑的纵截面的面积各不相同，记录坑的纵截面的面积满足下式：S＝∫h(x)dx，其中，S表示所述记录坑的纵截面的面积，x表示记录坑宽度方向的坐标，h(x)表示所述记录坑的纵截面上的坑深分布函数，积分区域为所述记录坑的整个纵截面。另外，还可以对多阶只读光盘的游长进行限制。本发明提供的游程长度受限的多阶只读光盘及其制法结合了多阶技术和游长受限编码的优点，在不改变激光波长和光学数值孔径的情况下，能显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的只读光盘系统保持了最大的兼容性。
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公开(公告)号：CN101013587A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610167682.0
申请日：2005-03-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11B7/26 , G11B7/0045 , G11B7/125 , G11B7/007
摘要： 本发明提供了用于制作道间距小于0.52微米的多阶只读光盘的方法，该方法包括以下步骤：a)将二进制的用户数据通过纠错编码和多阶调制编码形成多阶编码序列，生成控制母盘刻录的写入信号，并将多阶只读母盘的道间距设定为小于0.52微米；b)用写入信号控制激光器输出的刻录激光的功率，对母盘盘片进行刻录，生成多阶只读母盘；c)以多阶只读母盘为模具，复制出金属制的压模；以及d)使用压模模压复制出多阶只读光盘。根据本发明的方法结合了多阶技术和游长受限编码的优点，在不改变激光波长和光学数值孔径的情况下，能显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的只读光盘系统保持了最大的兼容性。
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公开(公告)号：CN1687991A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510011474.7
申请日：2005-03-25
申请人： 清华大学
摘要： 游程长度受限的多阶可录光盘及制法，属于可录光盘技术领域，其特征在于：所述多阶可录光盘上记录符的宽度是多阶的，记录符的宽度由刻录激光功率决定；同时，游程长度是受限的，即两个非“0”数据之间最少有d个“0”，最多有k个“0”，d、k这两个参数决定了可能出现在通道序列中的最小和最大的游长，而游长是由刻录激光的曝光时间决定的。本发明相应地提出了多阶可录光盘的制造方法，包括染料材料的多阶追记型可记录光盘和相变或磁光材料的多阶可重写光盘。在不改变激光波长和光学数值孔径下，它显著提高了可录光盘存储容量和数据传输率，同时又与目前的可录光盘保持了最大的兼容性。
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公开(公告)号：CN100412975C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011474.7
申请日：2005-03-25
申请人： 清华大学
摘要： 游程长度受限的多阶可录光盘的信息记录方法，属于可录光盘技术领域，其特征在于：所述多阶可录光盘上记录符的宽度是多阶的，记录符的宽度由刻录激光功率决定；同时，游程长度是受限的，即两个非“0”数据之间最少有d个“0”，最多有k个“0”，d、k这两个参数决定了可能出现在通道序列中的最小和最大的游长，而游长是由刻录激光的曝光时间决定的。本发明相应地提出了多阶可录光盘的制造方法，包括染料材料的多阶追记型可记录光盘和相变或磁光材料的多阶可重写光盘。在不改变激光波长和光学数值孔径下，它显著提高了可录光盘存储容量和数据传输率，同时又与目前的可录光盘保持了最大的兼容性。
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公开(公告)号：CN1996479A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610169823.2
申请日：2006-12-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种用于蓝光多阶光存储装置的多阶游长数据转换方法，其中，蓝光多阶光存储装置的道间距小于0.52微米，该方法包括以下步骤：调制步骤和或解调步骤，其中，游程长度受限编码是码率R＝5/7比特/码元的3元(d，k)码，用于将10进制用户数据组成的5比特源字变换成7个多阶码元组成的码字或将7个多阶码元组成的码字变换成10进制用户数据组成的5比特源字，其中d＝2，表示两个非零码元之间码元‘0’的最少个数，k等于或大于9，k表示两个非零码元之间码元‘0’的最多的个数。本发明还提供了多阶游长数据转换装置，以及使用了上述方法或装置的蓝光多阶光存储装置。
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公开(公告)号：CN1996467A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610169824.7
申请日：2006-12-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种用于蓝光多阶光存储装置的读出信号检测方法，其中，所述蓝光多阶光存储装置的道间距小于0.52微米，本方法包括以下步骤：步骤a，从来自蓝光多阶光存储装置的读出信号{rt}中恢复时钟信号，并以时钟信号为基准对{rt}进行采样，得到采样序列{rk}；步骤b，对{rk}进行前馈滤波，得到目标信号序列{zk}；以及步骤c，将{zk}分别输入维特比检测器中的各条幸存路径得到各自的路径度量，筛选其中具有最小路径度量的幸存路径作为最终路径输出。本发明还提供了一种读出信号检测装置。
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公开(公告)号：CN1664940A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510053509.3
申请日：2005-03-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及多阶只读光盘及其制法，该多阶只读光盘具有多种记录坑，多种记录坑的、沿记录坑的宽度方向的纵截面为多阶任意形状，不同阶数的记录坑的纵截面的面积各不相同，记录坑的纵截面的面积满足下式：S＝∫h(x)dx，其中，S表示所述记录坑的纵截面的面积，x表示记录坑宽度方向的坐标，h(x)表示所述记录坑的纵截面上的坑深分布函数，积分区域为所述记录坑的整个纵截面。另外，还可以对多阶只读光盘的游长进行限制。本发明提供的游程长度受限的多阶只读光盘及其制法结合了多阶技术和游长受限编码的优点，在不改变激光波长和光学数值孔径的情况下，能显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的只读光盘系统保持了最大的兼容性。
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公开(公告)号：CN1996480B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200610169825.1
申请日：2006-12-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种用于蓝光多阶光存储装置的多阶游长数据转换方法，其中，蓝光多阶光存储装置的道间距小于0.52微米，该方法包括以下步骤：调制步骤和或解调步骤，其中，采用的游程长度受限编码是码率R＝5/8比特/码元的4元(d，k)码，用于将10进制用户数据组成的5比特源字变换成8个多阶码元组成的码字或将8个多阶码元组成的码字转换成10进制用户数据组成的5比特源字，其中，码元包括‘0’、‘1’、‘2’、和‘3’，d+1＝3表示连续相同码元的最少个数为3，k+1等于10，表示连续相同码元的最多个数为10个。本发明还提供了多阶游长数据转换装置，以及使用了上述方法或装置的蓝光多阶光存储装置。
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公开(公告)号：CN100452209C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610167683.5
申请日：2005-03-08
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11B7/26 , G11B7/0045 , G11B7/125 , G11B7/007
摘要： 本发明提供了一种用于制作道间距小于0.52微米的多阶只读母盘的方法，所述方法包括以下步骤：a)将二进制的用户数据通过纠错编码和多阶调制编码形成为多阶编码序列，生成用于控制母盘刻录的写入信号，并将所述多阶只读母盘的道间距设定为小于0.52微米；以及b)用所述写入信号控制激光器输出的刻录激光的功率，对母盘盘片进行刻录，生成多阶只读母盘。根据本发明的方法结合了多阶技术和游长受限编码的优点，在不改变激光波长和光学数值孔径的情况下，能显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的只读光盘系统保持了最大的兼容性。
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