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公开(公告)号：CN119571251A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411804317.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种超滑碳薄膜及其制备方法和应用，所述超滑碳薄膜包括依次在基底上设置的Cr打底层、CrC过渡层和工作层；其中，所述工作层为金属掺杂的GLC薄膜；所述工作层中，掺杂的金属选自具有d电子轨道未填满特性的金属元素，任选地，为Ag、Cu、Ni、Co、Au等中的任意一种。本申请利用闭合场非平衡磁控溅射技术制备的超滑碳薄膜在多种基底材料上表现出良好的结合力，室温条件下工作层中掺杂的金属银纳米颗粒可均匀分布，且具有优异的摩擦学性能，不同金属含量的超滑碳薄膜均能在氮气氛围中实现宏观尺度的超滑，摩擦系数低至0.006。
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