一种高连接强度的热固化导电胶

    公开(公告)号:CN1546591A

    公开(公告)日:2004-11-17

    申请号:CN200310117092.3

    申请日:2003-12-09

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C09J163/00 C09J9/02

    摘要: 本发明公开了属于微电子封装连接材料领域的一种高连接强度的热固化导电胶。选用缩水甘油酯环氧树脂为导电胶基体,微米级银粉作为导电填料,二氨基二苯甲烷和间苯二胺作为固化剂,硅烷偶联剂(3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷)作为分散剂,纳米级二氧化硅作为增韧剂,按质量比采用中温热固化法制备出一种高连接强度的热固化导电胶。与不加入二氧化硅相比,连接强度增加30-50%。在特定使用范围内可以代替焊料和合金的热固化各向同性导电胶,以满足电子连接材料日益发展的要求。

    一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN100395211C

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200510076993.1

    申请日:2005-06-14

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体,其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯,接着高温碳化处理陶瓷生坯,最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80%的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境相容性好,是一种能够制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法。

    单分散微米级交联聚苯乙烯共聚微球的合成方法

    公开(公告)号:CN1298751C

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN200410074737.4

    申请日:2004-09-14

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C08F12/08 C08F2/44 C08G65/34

    摘要: 本发明公开了属于新型高分子材料制备技术范围的一种单分散交联聚苯乙烯共聚微球的合成方法。将引发剂偶氮二异丁腈、交联剂聚乙二醇200二甲基双丙烯酸酯溶解到单体苯乙烯中,将稳定剂聚乙烯吡咯烷酮溶于分散介质乙醇中,进行分散聚合,经分离、烘干后即得到交联微球粉体。采用交联剂PEG20DMA代替常见的交联剂DVB,改善了反应体系的稳定性,由于其助稳定作用,有利于形成单分散交联微球。当交联剂含量到单体的2.5wt%后,PEG200DMA的功能基团在微球表面富集,得到均一的“花瓣状”单分散交联功能微球,可广泛应用于催化剂载体、医疗和医药领域,生物化学领域,电子信息材料领域。

    一种SiC微米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN1636870A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200410103488.7

    申请日:2004-12-30

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明公开了属于无机材料制备技术领域的一种SiC微米粉体的制备方法。首先采用包混工艺将粒度小于15微米的Si源、碳源和酒精按质量比混合,然后进行高温碳化处理及高温烧结处理,最终获得粒度达到微米级至亚微米级,甚至粒度能达到纳米级的SiC粉体。本方法可大大降低成本、且工艺实施简单、容易过渡到大批量生产、是一种能够制备微米级以至于亚微米级、纳米级的碳化硅粉体制备方法。

    一种SiC微米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN1304286C

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200410103488.7

    申请日:2004-12-30

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明公开了属于无机材料制备技术领域的一种SiC微米粉体的制备方法。首先采用包混工艺将粒度小于15微米的Si源、碳源和酒精按质量比混合,然后进行高温碳化处理及高温烧结处理,最终获得粒度达到微米级至亚微米级,甚至粒度能达到纳米级的SiC粉体。本方法可大大降低成本、且工艺实施简单、容易过渡到大批量生产、是一种能够制备微米级以至于亚微米级、纳米级的碳化硅粉体制备方法。

    一种高连接强度的热固化导电胶

    公开(公告)号:CN1238459C

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200310117092.3

    申请日:2003-12-09

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C09J163/00 C09J9/02

    摘要: 本发明公开了属于微电子封装连接材料领域的一种高连接强度的热固化导电胶。选用缩水甘油酯环氧树脂为导电胶基体,微米级银粉作为导电填料,二氨基二苯甲烷和间苯二胺作为固化剂,硅烷偶联剂(3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷)作为分散剂,纳米级二氧化硅作为增韧剂,按质量比采用中温热固化法制备出一种高连接强度的热固化导电胶。与不加入二氧化硅相比,连接强度增加30-50%。在特定使用范围内可以代替焊料和合金的热固化各向同性导电胶,以满足电子连接材料日益发展的要求。

    一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN1699285A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200510076993.1

    申请日:2005-06-14

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体,其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯,接着高温碳化处理陶瓷生坯,最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80%的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境相容性好,是一种能够制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法。

    一种石墨粉表面化学镀银制备导电胶的方法

    公开(公告)号:CN1919933A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:CN200610112780.4

    申请日:2006-09-01

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明涉及一种石墨粉表面化学镀银制备导电胶的方法,属于化学镀银和微电子连接材料技术领域。所述方法是将石墨粉在空气中600~650℃氧化,将分散剂、还原剂和稳定剂加入去离子水中构成还原液,加入石墨粉搅拌;取硝酸银加入去离子水中,加氨水和氢氧化钠,得到银胺溶液;将还原液加入银胺溶液到中完成石墨粉表面的化学镀银;过滤分离洗涤,真空干燥后得到银包石墨粉。本发明提供的银包石墨粉制备工艺、原料组成简单,符合环保需要,易于大规模生产;获得的银包石墨粉电阻率小于8×10-4Ωcm;利用该银包石墨粉作为导电填料,可以取代纯银粉作为导电填料制备导电胶,镀银石墨粉导电胶重量的10~40%,具有成本低廉、导电能力高的优点,其电阻率小于3×10-3Ωcm。

    一种铜粉表面化学镀银的方法

    公开(公告)号:CN1876282A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610089631.0

    申请日:2006-07-07

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: B22F1/02

    摘要: 本发明涉及一种铜粉表面化学镀银的方法,属于化学镀银技术领域。所述方法是将铜粉加入5~10%的稀酸中,除去铜粉表面的氧化物;将铜粉重量的1~30%的分散剂、10~60%稳定剂加入去离子水中构成还原液,加入铜粉搅拌;取硝酸银加入去离子水中,加氨水,搅拌后加氢氧化钠,得到银胺溶液;在搅拌的条件下,将银胺溶液加入到还原液中,10~50分钟完成铜粉表面的化学镀银;过滤分离洗涤,真空干燥后得到银包铜粉。本发明提供的银包铜粉制备工艺、原料组成简单,符合环保需要,易于大规模生产;而且将银胺溶液加入到还原液中,可以减少或消除容器壁上的银镀层,减少浪费,银转化率高,获得的银包铜粉电阻率小于2×10-4Ωcm。

    一种新的混料系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1657146A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN200410103487.2

    申请日:2004-12-30

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: B01F7/16 B01F15/00 C04B35/628

    摘要: 本发明公开了属于粉体制备设备范围的可以实现包混工艺产业化的一种新的混料系统。主要由混料部分、喷射部分、老化部分等三部分构成。混料部分主要由超级恒温槽、低温恒温循环器、混料器通过三通阀连接,搅拌器通过混料器盖固定在混料器内,起泥浆制备作用;喷射部分由喷枪通过球阀分别和混料器、压力罐连接组成,起将泥浆喷射到水中的作用;老化部分主要由放在恒温水浴槽内的烧杯及搅拌器构成,主要起到使粘结剂老化,并使其牢固地和骨料结合起来的效果。该混料系统将粘结剂溶液制备、泥浆制备、冷热处理、喷射萃取、老化处理合理的集中到一起,形成了一套系统,为将来实现产业化奠定了基础,具有设备简单、操作方便、成本低等特点。