公开(公告)号：CN101279713B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810103052.6

申请日：2008-03-31

申请人： 清华大学 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 董景新 ,  吴黎明 ,  徐永青 ,  韩丰田 ,  刘云峰 ,  罗蓉 ,  万蔡辛

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01P15/00 ,  G01P15/02

摘要： 一种制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构的方法，属于微硅结构加工技术领域。该方法包括玻璃刻蚀；玻璃溅金：金属层高出玻璃表面400～600埃；玻璃打孔；硅片第1、第2次RIE刻蚀；薄膜梁工艺：高温干氧化及表面腐蚀；第1次玻硅静电键合；硅片减薄和抛光；硅片ICP刻蚀；硅片第3次RIE刻蚀；硅片第4次RIE刻蚀；第2次玻硅静电键合；薄膜梁的ICP去除，制备得到制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构。本发明玻璃打孔采用喷砂打孔方案；引入二氧化硅薄膜梁作为牺牲层，采用ICP除去薄膜梁工艺；有效解决了“三明治”微结构在第2次静电键合中的存在黏附问题，无需后处理，效率更高，与MEMS工艺兼容性更好。

公开(公告)号：CN101279713A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810103052.6

申请日：2008-03-31

申请人： 清华大学 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 董景新 ,  吴黎明 ,  徐永青 ,  韩丰田 ,  刘云峰 ,  罗蓉 ,  万蔡辛

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01P15/00 ,  G01P15/02

摘要： 一种制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构的方法，属于微硅结构加工技术领域。该方法包括玻璃刻蚀；玻璃溅金：金属层高出玻璃表面400～600埃；玻璃打孔；硅片第1、第2次RIE刻蚀；薄膜梁工艺：高温干氧化及表面腐蚀；第1次玻硅静电键合；硅片减薄和抛光；硅片ICP刻蚀；硅片第3次RIE刻蚀；硅片第4次RIE刻蚀；第2次玻硅静电键合；薄膜梁的ICP去除，制备得到制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构。本发明玻璃打孔采用喷砂打孔方案；引入二氧化硅薄膜梁作为牺牲层，采用ICP除去薄膜梁工艺；有效解决了“三明治”微结构在第2次静电键合中的存在黏附问题，无需后处理，效率更高，与MEMS工艺兼容性更好。