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公开(公告)号:CN110414800B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN201910602888.9
申请日:2019-07-05
Applicant: 清华大学 , 中建二局第三建筑工程有限公司 , 北京城建集团有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种超高层建筑施工事故风险源评估方法及装置,其中,方法包括:结合模糊理论计算得到在行业平均水平下每类风险源的风险荷载发生的概率,利用随机表达计算得到每类风险源的风险荷载发生的平均概率;确定不同风险抗力对风险荷载的影响权重;根据待评估项目的风险抗力水平和影响权重修正每类风险源的风险荷载发生的平均概率;根据修正后的每类风险源的风险荷载发生的平均概率和每类风险源的风险事故的影响程度计算得到待评估项目的风险源评估结果。该方法一方面提高施工安全管理水平,从而降低事故率、节约成本和工期;另一方面,也将减少因安全事故造成的社会问题,且具有较好的应用前景,并带来较高的社会效益和经济效益。
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公开(公告)号:CN110414800A
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201910602888.9
申请日:2019-07-05
Applicant: 清华大学 , 中建二局第三建筑工程有限公司 , 北京城建集团有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种超高层建筑施工事故风险源评估方法及装置,其中,方法包括:结合模糊理论计算得到在行业平均水平下每类风险源的风险荷载发生的概率,利用随机表达计算得到每类风险源的风险荷载发生的平均概率;确定不同风险抗力对风险荷载的影响权重;根据待评估项目的风险抗力水平和影响权重修正每类风险源的风险荷载发生的平均概率;根据修正后的每类风险源的风险荷载发生的平均概率和每类风险源的风险事故的影响程度计算得到待评估项目的风险源评估结果。该方法一方面提高施工安全管理水平,从而降低事故率、节约成本和工期;另一方面,也将减少因安全事故造成的社会问题,且具有较好的应用前景,并带来较高的社会效益和经济效益。
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公开(公告)号:CN112185889A
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202011002471.8
申请日:2020-09-22
IPC: H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明公开了一种表面具有微纳结构的金属焊片连接芯片的方法,金属焊片的上下表面具有三维双连续纳米尺度的韧带‑通道微纳结构中间为致密层,其中金属焊片的厚度30~100μm,上下表面的微纳结构层厚度为2~10μm。将其作为连接材料,在200℃~300℃的温度下烧结连接芯片和基板,实现芯片的低温烧结连接。与常规的金属焊片相比,所发明的金属焊片因表面具有微纳结构,可以降低连接温度,又可实现高温服役;与常规的金属焊膏相比,表面具有微纳结构的金属焊片不仅可减少常规焊膏必须采用的丝网印刷工艺,而且避免了有机物的残留,而且可以实现大尺寸芯片低温互连,对提高功率芯片接头封装具有重要意义。
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公开(公告)号:CN110675919A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201910898270.1
申请日:2019-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出的一种基于K-近邻方法的烘丝过程入口水份预测方法及系统,所述方法包括:采集历史时刻润叶加料出口水份、储叶时间、厂房温度、厂房湿度、储叶房温度、储叶房湿度及烘丝过程入口水份,将设定时间窗口内采集到的前6项参数作为一条历史数据记录,并进行中心化处理;采集当前时刻的上述前6项参数作为当前时刻数据记录,并进行中心化处理;计算经中心化后的当前时刻数据记录与每条历史数据记录的欧式距离,对其进行排序,选择最短的前k个欧氏距离对应的历史数据记录;计算选择的k个历史数据记录的K近邻权值;根据各K近邻权值及与历史烘丝过程入口水份得到当前时刻的烘丝入口水份预测值。本发明有助于保持卷烟生产过程中的水份稳定。
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公开(公告)号:CN112185889B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202011002471.8
申请日:2020-09-22
IPC: H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明公开了一种表面具有微纳结构的金属焊片连接芯片的方法,金属焊片的上下表面具有三维双连续纳米尺度的韧带‑通道微纳结构中间为致密层,其中金属焊片的厚度30~100μm,上下表面的微纳结构层厚度为2~10μm。将其作为连接材料,在200℃~300℃的温度下烧结连接芯片和基板,实现芯片的低温烧结连接。与常规的金属焊片相比,所发明的金属焊片因表面具有微纳结构,可以降低连接温度,又可实现高温服役;与常规的金属焊膏相比,表面具有微纳结构的金属焊片不仅可减少常规焊膏必须采用的丝网印刷工艺,而且避免了有机物的残留,而且可以实现大尺寸芯片低温互连,对提高功率芯片接头封装具有重要意义。
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