公开(公告)号：CN101880167A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010204502.8

申请日：2010-06-11

Applicant: 清华大学 ,  北京鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司

Inventor： 王晓慧 ,  张亦弛 ,  金镇龙 ,  田之滨 ,  李龙土

IPC: C04B35/628 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种可作为贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的陶瓷粉体及其制备方法。通过化学共沉淀将掺杂元素均匀包覆于钛酸钡颗粒表面；钛酸钡BaTiO3主料在陶瓷粉料中占90～97mol％；纳米包覆层复合氧化物的用量占陶瓷粉料总量的3～10mol％。该陶瓷粉料，在以氮气和氢气混合的加湿气体控制的还原气氛中，在950℃～1250℃的温度范围内进行烧结，可获得X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数为2000～3000，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤2％，陶瓷的晶粒在200nm以下，介电损耗小，材料均匀性好，适用于生产大容量、超薄介电层(介电层厚度小于3μm)的多层陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101880167B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010204502.8

申请日：2010-06-11

Applicant: 清华大学 ,  北京鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司

Inventor： 王晓慧 ,  张亦弛 ,  金镇龙 ,  田之滨 ,  李龙土

IPC: C04B35/628 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种可作为贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的陶瓷粉体及其制备方法。通过化学共沉淀将掺杂元素均匀包覆于钛酸钡颗粒表面；钛酸钡BaTiO3主料在陶瓷粉料中占90～97mol％；纳米包覆层复合氧化物的用量占陶瓷粉料总量的3～10mol％。该陶瓷粉料，在以氮气和氢气混合的加湿气体控制的还原气氛中，在950℃～1250℃的温度范围内进行烧结，可获得X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数为2000～3000，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤2％，陶瓷的晶粒在200nm以下，介电损耗小，材料均匀性好，适用于生产大容量、超薄介电层(介电层厚度小于3μm)的多层陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101183610B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710178134.2

申请日：2007-11-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  田之滨 ,  王天 ,  李龙土

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种化学包覆制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。通过化学共沉淀将掺杂元素均匀包覆于钛酸钡颗粒表面；钛酸钡BaTiO3主料在配方中所占90～97mol％；纳米包覆层复合氧化物的用量占材料总量的3～10mol％。该陶瓷材料，在以氮气和氢气混合的加湿气体控制的还原气氛中，在950℃～1250℃的温度范围内进行烧结，可获得X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数为2000～2700，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤2％，陶瓷的晶粒在200nm以下，介电损耗小，材料均匀性好，适用于生产大容量、超薄介电层(介电层厚度小于3μm)的多层陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101183610A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710178134.2

申请日：2007-11-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  田之滨 ,  王天 ,  李龙土

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种化学包覆制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。通过化学共沉淀将掺杂元素均匀包覆于钛酸钡颗粒表面；钛酸钡BaTiO3主料在配方中所占90～97mol％；纳米包覆层复合氧化物的用量占材料总量的3～10mol％。该陶瓷材料，在以氮气和氢气混合的加湿气体控制的还原气氛中，在950℃～1250℃的温度范围内进行烧结，可获得X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数为2000～2700，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤2％，陶瓷的晶粒在200nm以下，介电损耗小，材料均匀性好，适用于生产大容量、超薄介电层(介电层厚度小于3μm)的多层陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101182201B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710178132.3

申请日：2007-11-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  田之滨 ,  王天 ,  李龙土

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。由在配方中所占摩尔分数为90～98mol％主料钛酸钡BaTiO3和占材料总量的2～10mol％的纳米掺杂剂组成陶瓷材料。在还原气氛中，于950℃～1250℃的温度范围内进行“两段式”烧结或常规烧结，可获得性能优异的X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数(圆片样品)可以控制在2000～2600，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤1.5％，陶瓷的晶粒大小可以控制在100～200nm，均匀性好，适用于生产大容量、介电层厚度小于3μm的超薄介电层的多层陶瓷电容器，并且绝缘电阻率高，性能稳定。

公开(公告)号：CN101182201A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710178132.3

申请日：2007-11-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  田之滨 ,  王天 ,  李龙土

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。由在配方中所占摩尔分数为90～98mol％主料钛酸钡BaTiO3和占材料总量的2～10mol％的纳米掺杂剂组成陶瓷材料。在还原气氛中，于950℃～1250℃的温度范围内进行“两段式”烧结或常规烧结，可获得性能优异的X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数(圆片样品)可以控制在2000～2600，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤1.5％，陶瓷的晶粒大小可以控制在100～200nm，均匀性好，适用于生产大容量、介电层厚度小于3μm的超薄介电层的多层陶瓷电容器，并且绝缘电阻率高，性能稳定。