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公开(公告)号：CN110779939A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810755428.5
申请日：2018-07-11
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
摘要： 本公开提出一种双模探测方法、控制器和系统，涉及射线检测技术领域。本公开的一种双模探测方法包括：根据X射线物体探测数据、X射线无物体探测数据、中子物体探测数据和中子无物体探测数据，确定被测物体对于中子和X射线的微分截面的比值；根据被测物体对于X射线和中子的微分截面的比值与物质类型的对应关系识别物质类型。通过这样的方法，能够实现利用中子和X射线对被测物体的双能探测，利用物质对于中子和X射线的不同的衰减能力得到核素类型，实现识别元素种类，提高探测的精确度。
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公开(公告)号：CN106226339A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610835790.4
申请日：2016-09-20
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/05
摘要： 公开了一种中子产生设备，中子成像设备和成像方法。该设备包括：中子产生设备，产生连续能谱中子束；中子探测器，接收穿透被检查物体的中子束，得到电信号；数据采集电路，与所述中子探测器耦接，将所述电信号转换为数字信号；数据处理设备，与所述数据采集电路耦接，基于所述数字信号得到所述被检查物体在不同能谱中子下的图像。利用上述的方案，能够产生连续能谱的中子束，使得可以利用飞行时间法得到被检查物体在不同能量中子下的图像，提高了检测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110779939B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810755428.5
申请日：2018-07-11
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
摘要： 本公开提出一种双模探测方法、控制器和系统，涉及射线检测技术领域。本公开的一种双模探测方法包括：根据X射线物体探测数据、X射线无物体探测数据、中子物体探测数据和中子无物体探测数据，确定被测物体对于中子和X射线的微分截面的比值；根据被测物体对于X射线和中子的微分截面的比值与物质类型的对应关系识别物质类型。通过这样的方法，能够实现利用中子和X射线对被测物体的双能探测，利用物质对于中子和X射线的不同的衰减能力得到核素类型，实现识别元素种类，提高探测的精确度。
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公开(公告)号：CN107831525A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711315636.5
申请日：2017-12-11
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明公开了一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体单元阵列，所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元，其中，所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极，并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极；每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。
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公开(公告)号：CN110376227B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910508771.4
申请日：2014-09-26
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本发明提供利用光中子透射对物体成像的方法以及装置。方法包括：使用光中子源发射光中子射线并照射所述受检查对象；利用探测器对来自所述光中子源的光中子射线进行接收；以及使用由所述探测器接收到的光中子射线对所述受检查对象进行成像。所述探测器是以能够使光中子慢化并且能够吸收光中子的方式构成的探测器，来自所述光中子源的光中子射线的入射方向与所述探测器的表面的法线方向所成的角度处于60度～87度的范围。
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公开(公告)号：CN110376227A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910508771.4
申请日：2014-09-26
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本发明提供利用光中子透射对物体成像的方法以及装置。方法包括：使用光中子源发射光中子射线并照射所述受检查对象；利用探测器对来自所述光中子源的光中子射线进行接收；以及使用由所述探测器接收到的光中子射线对所述受检查对象进行成像。所述探测器是以能够使光中子慢化并且能够吸收光中子的方式构成的探测器，来自所述光中子源的光中子射线的入射方向与所述探测器的表面的法线方向所成的角度处于60度～87度的范围。
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公开(公告)号：CN104237270A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410500964.2
申请日：2014-09-26
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/05
摘要： 本发明涉及利用光中子透射对物体成像的方法以及装置。本发明的方法使用光中子射线透射所述物体，具有如下步骤：使光中子源工作，发射光中子射线并照射所述物体；利用探测器对来自所述光中子源的光中子射线进行接收；以及根据由所述探测器接收到的光中子射线对所述物体进行成像，所述探测器是以能够使光中子慢化并且能够吸收光中子的方式构成的探测器，来自所述光中子源的光中子射线的入射方向与所述探测器的表面的法线方向所成的角度处于60度～87度的范围。根据本发明，通过使来自光中子源的光中子射线的入射方向与探测器的表面的法线方向所成的角度θ为60度～87度的范围，从而能够将分辨率由10cm提高到2cm左右。
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公开(公告)号：CN207611150U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201721718773.9
申请日：2017-12-11
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本实用新型公开了一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体单元阵列，所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元，其中，所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极，并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极；每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206696205U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201621066634.8
申请日：2016-09-20
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/05
摘要： 公开了一种中子产生设备和中子成像设备。该设备包括：中子产生设备，产生连续能谱中子束；中子探测器，接收穿透被检查物体的中子束，得到电信号；数据采集电路，与所述中子探测器耦接，将所述电信号转换为数字信号；数据处理设备，与所述数据采集电路耦接，基于所述数字信号得到所述被检查物体在不同能谱中子下的图像。利用上述的方案，能够产生连续能谱的中子束，使得可以利用飞行时间法得到被检查物体在不同能量中子下的图像，提高了检测的灵敏度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204346955U
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201420558258.9
申请日：2014-09-26
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/05
摘要： 本实用新型涉及利用光中子透射对物体成像的装置。本实用新型的装置使用光中子射线透射所述物体，具备：光中子源，发射用于对所述物体进行照射的光中子射线；探测器，对来自所述光中子源的光中子射线进行接收；成像系统，根据由所述探测器接收到的光中子射线对所述物体进行成像，所述探测器是以能够使光中子慢化并且能够吸收光中子的方式构成的探测器，来自所述光中子源的光中子射线的入射方向与所述探测器的表面的法线方向所成的角度处于60度～87度的范围。根据本实用新型，通过使来自光中子源的光中子射线的入射方向与探测器的表面的法线方向所成的角度θ为60度～87度的范围，从而能够将分辨率由10cm提高到2cm左右。
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