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公开(公告)号：CN103529480B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310476261.6
申请日：2013-10-12
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01V5/00
CPC分类号： G01V5/0066 , B64F5/60 , G01N23/04 , G01N23/10 , G01N2223/631 , G01V5/0016 , H01J37/023 , H01L27/14618
摘要： 公开了对飞机进行检查的系统和方法。射线源和探测器分别位于飞机机身的上方和下方，射线源产生射线束，穿透被检查飞机，探测器接收穿透被检查飞机的射线束并将其转换成输出信号，实时地产生俯视透射图像。
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公开(公告)号：CN103529480A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310476261.6
申请日：2013-10-12
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01V5/00
CPC分类号： G01V5/0066 , B64F5/60 , G01N23/04 , G01N23/10 , G01N2223/631 , G01V5/0016 , H01J37/023 , H01L27/14618
摘要： 公开了对飞机进行检查的系统和方法。射线源和探测器分别位于飞机机身的上方和下方，射线源产生射线束，穿透被检查飞机，探测器接收穿透被检查飞机的射线束并将其转换成输出信号，实时地产生俯视透射图像。
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公开(公告)号：CN101847582A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010151185.8
申请日：2010-04-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/205
摘要： 本发明提出一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成伪栅堆叠，以及在伪栅堆叠两侧形成一层或多层侧墙；注入形成源极和漏极，并对源极和漏极进行高温退火激活；去除伪栅堆叠；刻蚀伪栅堆叠之下的所述衬底以形成沟槽；在沟槽中形成沟道应变层；在沟道应变层之上形成栅堆叠。本发明实施例在对源极和漏极高温退火激活之后再通过后栅(gate last)工艺形成沟道应变层，从而能够确保高温和低温步骤之间不相互影响，因此本发明不仅能够保证沟道应变层的性能，还能够确保源极和漏极的激活率。
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公开(公告)号：CN101847582B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010151185.8
申请日：2010-04-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/205
摘要： 本发明提出一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成伪栅堆叠，以及在伪栅堆叠两侧形成一层或多层侧墙；注入形成源极和漏极，并对源极和漏极进行高温退火激活；去除伪栅堆叠；刻蚀伪栅堆叠之下的所述衬底以形成沟槽；在沟槽中形成沟道应变层；在沟道应变层之上形成栅堆叠。本发明实施例在对源极和漏极高温退火激活之后再通过后栅(gate last)工艺形成沟道应变层，从而能够确保高温和低温步骤之间不相互影响，因此本发明不仅能够保证沟道应变层的性能，还能够确保源极和漏极的激活率。
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公开(公告)号：CN103578957A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310535651.6
申请日：2013-11-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02307 , H01L21/28264
摘要： 本发明提出了一种衬底表面钝化方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底顶部表面为III-V族锑化物半导体材料；将衬底的顶部表面浸入中性或酸性的含硫离子溶液中。该衬底表面钝化方法具有简单易行、成本低的优点。本发明还提出一种半导体结构形成方法。
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