一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法

    公开(公告)号:CN110310882B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201910595864.5

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法,包括:在第一预设时间间隔内,在第一组电极上施加第一电压,在第二组电极上施加第二电压;其中第二电压高于第一电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差;在第二预设时间间隔内,在第一组电极与第二组电极上施加相同大小的电压,使离子能正常通过离子门;在第三预设时间间隔内,在第一组电极上施加第三电压,在第二组电极上施加第四电压;其中第三电压高于第一电压,第四电压高于第三电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差。通过控制BN门的两组电极的电压在三态下随时间做周期性变化,实现了减轻离子门歧视性的同时提高了离子迁移谱仪的分辨率。

    一种用于离子迁移谱仪的离子门控制方法

    公开(公告)号:CN110534395A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910797555.6

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 一种用于离子迁移谱仪的离子门控制方法,包括通过第一栅网电极和第二栅网电极的电压,以控制所述离子门的一个完整工作周期经历关门阶段、开门阶段、推斥阶段。其中,关门阶段实现离子团前沿平整斩切,减小离子团前沿的歧视性;推斥阶段实现对离子团在沿迁移方向上的整体推移,减弱BN门的拖尾效应。本方法一方面可以实现对离子团前沿和后沿的分别独立控制,另一方面可以减小离子门切割离子团造成的拖尾,实现了减轻离子门歧视性的同时提高了离子迁移谱仪的分辨率。

    一种用于离子迁移谱仪的离子门控制方法

    公开(公告)号:CN110534395B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201910797555.6

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 一种用于离子迁移谱仪的离子门控制方法,包括通过第一栅网电极和第二栅网电极的电压,以控制所述离子门的一个完整工作周期经历关门阶段、开门阶段、推斥阶段。其中,关门阶段实现离子团前沿平整斩切,减小离子团前沿的歧视性;推斥阶段实现对离子团在沿迁移方向上的整体推移,减弱BN门的拖尾效应。本方法一方面可以实现对离子团前沿和后沿的分别独立控制,另一方面可以减小离子门切割离子团造成的拖尾,实现了减轻离子门歧视性的同时提高了离子迁移谱仪的分辨率。

    一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法

    公开(公告)号:CN110310882A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910595864.5

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法,包括:在第一预设时间间隔内,在第一组电极上施加第一电压,在第二组电极上施加第二电压;其中第二电压高于第一电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差;在第二预设时间间隔内,在第一组电极与第二组电极上施加相同大小的电压,使离子能正常通过离子门;在第三预设时间间隔内,在第一组电极上施加第三电压,在第二组电极上施加第四电压;其中第三电压高于第一电压,第四电压高于第三电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差。通过控制BN门的两组电极的电压在三态下随时间做周期性变化,实现了减轻离子门歧视性的同时提高了离子迁移谱仪的分辨率。

Patent Agency Ranking