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发明公开
一种LaNi5薄膜的制备方法及其应用无效

公开(公告)号：CN102220560A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010152950.8

申请日：2010-04-16

申请人： 湖北大学

发明人： 陈侃松 , 刘华容 , 顾豪爽 , 刘俊峰 , 谢鲲

IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/16 , C23C14/06

摘要： 本发明公开了一种LaNi5薄膜的制备方法及其在氢敏传感器方面的应用。该方法是先在Si衬底上，制作一层Ni膜为缓冲层，然后通过磁控射频溅射方法在Ni膜上沉积LaNi5薄膜。所述沉积LaNi5的靶材是La靶与扇形Ni片组成的扇形靶，溅射条件是：功率120W-200W，温度350℃-500℃，靶基距3.5cm，气压0.6Pa，时间20min。所制备的LaNi5薄膜是多晶薄膜，表面致密度低，比表面积大，晶粒均匀，适合用作气敏元件。此外，LaNi5有很强的吸氢能力，有利于提高氢敏传感器的响应能力，因此该方法制备的LaNi5薄膜在氢敏传感器方面有较好的应用前景。