公开(公告)号：CN111174950B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202010007281.9

申请日：2020-01-04

申请人： 湖北大学

发明人： 王钊 ,  卢梦瑞 ,  姜蕾 ,  顾豪爽

IPC分类号： H01L41/39 ,  G01L1/16 ,  G01L9/08 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法，所述传感器的制作包括：金属阻挡层的制备；铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长；上电极的制备等步骤。将钛酸锶衬底经过清洗烘干后，在其上采用光刻溅射法制做出铬/金的金属阻挡层；采用传统水热合成工艺，用氢氧化钾、氢氧化钠，五氧化二铌在高温高压下水热合成铌酸钾钠纳米棒阵列；将KNN纳米棒阵列放置在旋涂仪上后旋涂覆盖一层PMMA将KNN纳米棒包裹起来，然后进行磁控溅射，溅射完后拿掉掩膜版得到所需要的基于图形化无铅压电纳米棒阵列的压力分布式传感器；所述传感器能够有效监测压力的大小和位置，且能够自供电。

公开(公告)号：CN111174950A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010007281.9

申请日：2020-01-04

申请人： 湖北大学

发明人： 王钊 ,  卢梦瑞 ,  姜蕾 ,  顾豪爽

IPC分类号： G01L1/16 ,  G01L9/08 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法，所述传感器的制作包括：金属阻挡层的制备；铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长；上电极的制备等步骤。将钛酸锶衬底经过清洗烘干后，在其上采用光刻溅射法制作出铬/金的金属阻挡层；采用传统水热合成工艺，用氢氧化钾、氢氧化钠，五氧化二铌在高温高压下水热合成铌酸钾钠纳米棒阵列；将KNN纳米棒阵列放置在旋涂仪上后旋涂覆盖一层PMMA将KNN纳米棒包裹起来，然后进行磁控溅射，溅射完后拿掉掩膜版得到所需要的基于图形化无铅压电纳米棒阵列的压力分布式传感器；所述传感器能够有效监测压力的大小和位置，且能够自供电。