公开(公告)号：CN112909117B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110086317.1

申请日：2021-01-22

申请人： 湖北大学

发明人： 凯文·彼得·霍梅伍德 ,  周诗豪 ,  玛侬·达松桑·洛伦索 ,  高云 ,  李荣 ,  夏晓红

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硅掺杂铈元素红外探测器、制备方法及系统。该方法包括：通过离子注入的方法在硅片背面中注入砷元素作为二极管的N型半导体，并通过1000℃退火20s；通过离子注入的方法在硅片正面注入硼元素作为二极管的P型半导体，再分向所述P型半导体的耗尽层注入五次铈元素，通过1050℃退火10s；通过氢氟酸腐蚀掉所述硅片表面的二氧化硅，并将所述硅片放入真空镀膜仪中镀上正反面电极，取出后通过快速热退火炉360℃退火2mins；将所述硅片切割成一个个独立器件；采用80℃氢氧化钾溶液浸泡2mins完成刻蚀表面抛光工作，去掉黑蜡得到探测器。本发明在低温下中红外领域具有较高探测率，将硅基光电探测器的探测领域推向近、中红外波段。

公开(公告)号：CN112909117A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110086317.1

申请日：2021-01-22

申请人： 湖北大学

发明人： 凯文·彼得·霍梅伍德 ,  周诗豪 ,  玛侬·达松桑·洛伦索 ,  高云 ,  李荣 ,  夏晓红

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硅掺杂铈元素红外探测器、制备方法及系统。该方法包括：通过离子注入的方法在硅片背面中注入砷元素作为二极管的N型半导体，并通过1000℃退火20s；通过离子注入的方法在硅片正面注入硼元素作为二极管的P型半导体，再分向所述P型半导体的耗尽层注入五次铈元素，通过1050℃退火10s；通过氢氟酸腐蚀掉所述硅片表面的二氧化硅，并将所述硅片放入真空镀膜仪中镀上正反面电极，取出后通过快速热退火炉360℃退火2mins；将所述硅片切割成一个个独立器件；采用80℃氢氧化钾溶液浸泡2mins完成刻蚀表面抛光工作，去掉黑蜡得到探测器。本发明在低温下中红外领域具有较高探测率，将硅基光电探测器的探测领域推向近、中红外波段。