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公开(公告)号：CN109560162B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811489158.4
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/036 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于非极性a面ZnOS薄膜的光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括r面蓝宝石衬底、非极性a面ZnOS薄膜、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述非极性a面ZnOS薄膜的c轴方向。本发明以r面蓝宝石作为薄膜生长的衬底，采用脉冲激光烧蚀沉积方法，控制衬底温度为500～700℃，脉冲激光能量为300～400mJ/Pulse，薄膜沉积氧压为4～6Pa，在所述r面蓝宝石衬底表面沉积非极性a面ZnOS薄膜，然后通过热蒸发的方法在非极性a面ZnOS薄膜表面蒸镀电极。本发明的探测器结构简单，制备工艺也简单，探测器响应速度快，探测器的探测能力强。
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公开(公告)号：CN109616535A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811487852.2
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面取向的BeMgZnO四元合金薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述BeMgZnO四元合金薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效的提高光探测器的响应速度。另外，本发明探测器为MSM构造，结构简单，衬底和BeMgZnO薄膜层之间未设置缓冲层，且制备工艺简单，操作方便，原料用量较少，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN109616535B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811487852.2
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面取向的BeMgZnO四元合金薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述BeMgZnO四元合金薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效的提高光探测器的响应速度。另外，本发明探测器为MSM构造，结构简单，衬底和BeMgZnO薄膜层之间未设置缓冲层，且制备工艺简单，操作方便，原料用量较少，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN109560161B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811487843.3
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/036 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面ZnOS薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面ZnOS薄膜、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述m面ZnOS薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效提高光探测器的响应速度。另外，本发明制备的光电探测器为MSM构造，结构简单，且制备工艺也简单，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN109560162A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811489158.4
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/036 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于非极性a面ZnOS薄膜的光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括r面蓝宝石衬底、a面ZnOS薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述a面ZnOS薄膜的c轴方向。本发明以r面蓝宝石作为薄膜生长的衬底，采用脉冲激光烧蚀沉积方法，控制衬底温度为500～700℃，脉冲激光能量为300～400mJ/Pulse，薄膜沉积氧压为4～6Pa，在所述r面蓝宝石衬底表面沉积a面ZnOS外延薄膜，然后通过热蒸发的方法在ZnOS薄膜表面蒸镀电极。本发明的探测器结构简单，制备工艺也简单，探测器响应速度快，探测器的探测能力强。
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公开(公告)号：CN109560161A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811487843.3
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/036 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面ZnOS薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面ZnOS薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述ZnOS薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效提高光探测器的响应速度。另外，本发明制备的光电探测器为MSM构造，结构简单，且制备工艺也简单，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。
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