公开(公告)号：CN117833027A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410062174.4

申请日：2024-01-16

申请人： 湖北理工学院

发明人： 李亚节 ,  章磊 ,  邓连生 ,  瞿珊珊 ,  康顺 ,  王硕 ,  刁亚芹

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20

摘要： 本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法，制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器，制备第一二氧化硅层，在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列，在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中制备V形硅沟槽，在V形硅沟槽和矩形沟槽内外延生长III‑V族亚微米线，制备N电极和P电极，制备高反射率的DBR光栅和低反射率的DBR光栅。本发明为硅上单片集成III‑V族多波长激光器提供了电注入方案和光耦合方案，有利于实现硅基光电子芯片的大规模单片集成。

公开(公告)号：CN117833027B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410062174.4

申请日：2024-01-16

申请人： 湖北理工学院

发明人： 李亚节 ,  章磊 ,  邓连生 ,  瞿珊珊 ,  康顺 ,  王硕 ,  刁亚芹

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20

摘要： 本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法，制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器，制备第一二氧化硅层，在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列，在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中制备V形硅沟槽，在V形硅沟槽和矩形沟槽内外延生长III‑V族亚微米线，制备N电极和P电极，制备高反射率的DBR光栅和低反射率的DBR光栅。本发明为硅上单片集成III‑V族多波长激光器提供了电注入方案和光耦合方案，有利于实现硅基光电子芯片的大规模单片集成。