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    一种用于水处理的活性多孔氮化硼纳米片的合成方法
    1.
    发明授权
    一种用于水处理的活性多孔氮化硼纳米片的合成方法 失效

    公开(公告)号：CN106744736B

    公开(公告)日：2018-11-27

    申请号：CN201611217237.0

    申请日：2016-12-26

    申请人： 湖北第二师范学院 ,  武汉海兴新材料科技有限公司

    发明人： 李杰 ,  吴田 ,  唐成春 ,  戴伟 ,  陈木青 ,  亓丽芳 ,  薛宇婷 ,  周鹏 ,  陈雄

    IPC分类号： C01B21/064 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/28

    摘要： 一种用于水处理的活性多孔氮化硼纳米片的合成方法，将0.1～10克的三聚氰胺或二氰胺在保护气氛下加热至300～600℃，保温0.5～4小时，保温结束后停止气体的通入并将温度降至室温，得到淡黄色产物；将所得产物与硼酸以摩尔比为1:0.01～1:100混合所得的混合物在保护气氛下加热至300～500℃，接着将保护气体通入浓度为0.01～10mmol/L的氟硼酸铵水溶液中，再通入反应腔体中继续加热至600～1000℃，保温0.5～4小时，保温结束后停止气体的通入并将温度降至室温，所得到白色产物为活性多孔氮化硼纳米片，其比表面积可达817m2/g,直径为50～300nm，厚度2～6nm，且对水溶液中的有机和毒性重金属污染物具有优良的吸附能力，克服常用的污水处理和净化材料吸附能力低和重复使用效率差等缺陷。

    一种用于氢气存储的氮化硼纳米管及合成方法
    4.
    发明授权
    一种用于氢气存储的氮化硼纳米管及合成方法 失效

    公开(公告)号：CN106517112B

    公开(公告)日：2019-05-07

    申请号：CN201611112194.X

    申请日：2016-12-07

    申请人： 湖北第二师范学院 ,  武汉海兴新材料科技有限公司

    发明人： 李杰 ,  吴田 ,  唐成春 ,  戴伟 ,  陈木青

    IPC分类号： C01B21/064 ,  B82Y40/00

    摘要： 一种用于氢气存储的氮化硼纳米管及合成方法，该方法采用两步合成：第一步，以三氟化硼乙醚溶液为原料，合成氮化硼纳米管的前驱体；第二步，在保护气氛和载气条件下，通过低温化学气相沉积法制备大比表面积和高吸附活性的氮化硼纳米管。本方法合成的氮化硼纳米管纯度高、比表面积大，合成方法简单、可靠、廉价，适合规模化合成。本发明合成的氮化硼纳米管具有在常温下对氢气的吸附能力高达每克吸附0.6g，重复70次仍然保持吸附能力的90％，克服常用的储氢材料储氢能力低和重复使用效率差等缺陷，在氢能源应用领域具有广泛的前景。

    一种低糖保健大米制作装置及方法
    5.
    发明授权
    一种低糖保健大米制作装置及方法 有权

    公开(公告)号：CN110973467B

    公开(公告)日：2024-10-22

    申请号：CN201911319732.6

    申请日：2019-12-19

    申请人： 湖北第二师范学院

    发明人： 肖鹏程 ,  王怀兴 ,  戴伟 ,  祁红艳

    IPC分类号： B02B5/02 ,  A23L7/10 ,  A23L33/00

    摘要： 一种低糖保健大米制作装置及方法，包括壳体、智能控制柜、烘干装置、CPU模块；智能控制柜，设有若干个，对应配合在壳体的隔层内，智能控制柜包括装入新鲜稻谷的装料箱体、传感器模组、给稻谷进行加热的发热组件、给稻谷进行洒水的加湿组件；烘干装置与所述智能控制柜连接，对稻谷进行加热烘干；CPU模块，安装在壳体上，传感器模组连接在CPU模块的输入端，发热组件、加湿组件连接在CPU模块的输出端，CPU模块综合控制保健稻谷生物生长的温度、湿度以及温水的流入与流出。本发明采用智能控制工艺，将稻谷通过有针对性的加湿加热，生物自生长过程的控制，以达到将稻谷中的糖分进行生物降解的目的。

    一种光辐射空间用Zn-Ag复合镀层纯钛极薄带及其生产方法
    6.
    发明授权
    一种光辐射空间用Zn-Ag复合镀层纯钛极薄带及其生产方法 失效

    公开(公告)号：CN109530438B

    公开(公告)日：2020-09-04

    申请号：CN201811317322.3

    申请日：2018-11-07

    申请人： 湖北第二师范学院

    发明人： 陶军晖 ,  戴伟 ,  李杰 ,  汪川惠 ,  陈温雅 ,  薛宇婷 ,  姜无忧 ,  唐玉

    IPC分类号： B21B1/40 ,  B21B37/74 ,  B21B15/00 ,  C23C4/129 ,  C23C4/08

    摘要： 一种光辐射空间用Zn‑Ag复合镀层纯钛极薄带及其生产方法，包括纯极钛薄带和Zn‑Ag复合镀层；所述纯极钛薄带包括Ti，其中Ti含量纯度达99.9％；采用超音速火焰喷涂的方法在纯钛冷轧极薄带表面形成一层致密Zn‑Ag复合镀层；Zn在Ti与Ag之间形成过渡层，可使得Zn‑Ag复合镀层的整体稳定性得到提高；Zn与Ag的重量比例为1:8～9；Zn及Ag粉末粒径范围为0.8～0.9μm。Zn‑Ag复合镀层纯钛极薄带的表面硬度为75～85HV，粗糙度为0.05～0.07μm，镜面反射率不低于99.9％；在室外常规大气条件下放置960d后，表面失光率不超过0.2％，表面腐蚀面积不超过0.2％；电阻率为6～8μΩ·cm，热导率为75～90w/m·℃；在350～400℃下保持960d后，表面氧化面积不超过0.1％，硬度值变化不超过0.1％。

    三温区形状记忆转变的钛铝铬形状记忆合金及其生产方法、应用和材料
    8.
    发明公开
    三温区形状记忆转变的钛铝铬形状记忆合金及其生产方法、应用和材料 无效

    公开(公告)号：CN109518036A

    公开(公告)日：2019-03-26

    申请号：CN201811473517.7

    申请日：2018-12-04

    申请人： 湖北第二师范学院

    发明人： 陶军晖 ,  吴田 ,  戴伟 ,  祁红艳 ,  张琳 ,  靳海芹 ,  程千喜 ,  王成英 ,  郑智 ,  段诗宇 ,  田诗茹 ,  徐越

    IPC分类号： C22C14/00 ,  C22F1/18 ,  C22F1/02

    摘要： 本发明属于钛铝铬形状记忆合金生产方法技术领域，具体涉及一种三温区形状记忆转变的钛铝铬形状记忆合金及其生产方法、应用和材料。其生产方法包括步骤：1)生产钛铝铬形状记忆合金材料；2)将步骤1)得到的钛铝铬形状记忆合金材料依次经过热处理、淬火和回火处理，再冷却和去除表面氧化铁皮，生产得到三温区形状记忆转变的钛铝铬形状记忆合金。该材料力学性能屈服强度ReL≥350MPa，抗拉强度Rm≥450MPa，延伸率A≥24％。在0℃以下时候会由奥氏体向马氏体的转变，0～40℃时马氏体会全部逆转变为奥氏体的形式存在，40℃以上时奥氏体又会转变成马氏体而保存下来，从而形成三温区形状记忆转变。该产品完全满足形状记忆合金生物医学器件的制造需要。