公开(公告)号：CN101488531B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910042742.X

申请日：2009-02-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 万青 ,  赵斌 ,  周棋 ,  易宗凤

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法。主要包括：(1)沉积于透明导电玻璃衬底上的P型非晶硅薄膜；(2)和P型非晶硅薄膜连接的N型微米颗粒硅和透明氧化物的复合薄膜，(3)和N型复合硅薄膜接触的银或铝背电极。本发明提出的核心工艺为：1)按硅质量百分比为30～90％的比例，混合高纯N型导电类型的硅粉和无机氧化物纳米晶、胶体得到复合浆料；2)采用喷涂、印刷等成膜工艺结合退火处理在P型非晶硅层上沉积一层厚度为5-50微米的N型颗粒硅复合膜层。本发明引入了多晶硅/非晶硅异质PN结技术，同时采用颗粒多晶硅复合膜，避免了大粒径多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，具有成本低廉，工艺简单且光电转换效率高等优势。

公开(公告)号：CN101488537B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910042743.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 万青 ,  周棋 ,  赵斌 ,  易宗凤

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，步骤包括：1)采用PECVD、等离子体增强物理气相沉积技术在透明导电玻璃上沉积一层厚度小于100纳米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅质量百分比30％-90％的比例，混合高纯P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料单体得到复合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工艺在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度适当的P型硅/塑料复合薄膜或N型硅/塑料复合薄膜；4)最后采用真空蒸发、溅射工艺制作铝背电极或银背电极，形成多晶硅/非晶硅异质结薄膜太阳能电池。本发明避免了大颗粒多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，成本低廉，工艺简单，且光电转换效率高，具有广泛的产业化价值。

公开(公告)号：CN101488537A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910042743.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 万青 ,  周棋 ,  赵斌 ,  易宗凤

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，步骤包括：1)采用PECVD、等离子体增强物理气相沉积技术在透明导电玻璃上沉积一层厚度小于100纳米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅质量百分比30％－90％的比例，混合高纯P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料单体得到复合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工艺在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度适当的P型硅/塑料复合薄膜或N型硅/塑料复合薄膜；4)最后采用真空蒸发、溅射工艺制作铝背电极或银背电极，形成多晶硅/非晶硅异质结薄膜太阳能电池。本发明避免了大颗粒多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，成本低廉，工艺简单，且光电转换效率高，具有广泛的产业化价值。

公开(公告)号：CN101488531A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910042742.X

申请日：2009-02-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 万青 ,  赵斌 ,  周棋 ,  易宗凤

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法。主要包括：(1)沉积于透明导电玻璃衬底上的P型非晶硅薄膜；(2)和P型非晶硅薄膜连接的N型微米颗粒硅和透明氧化物的复合薄膜，(3)和N型复合硅薄膜接触的银或铝背电极。本发明提出的核心工艺为：1)按硅质量百分比为30～90％的比例，混合高纯N型导电类型的硅粉和无机氧化物纳米晶、胶体得到复合浆料；2)采用喷涂、印刷等成膜工艺结合退火处理在P型非晶硅层上沉积一层厚度为5－50微米的N型颗粒硅复合膜层。本发明引入了多晶硅/非晶硅异质PN结技术，同时采用颗粒多晶硅复合膜，避免了大粒径多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，具有成本低廉，工艺简单且光电转换效率高等优势。

公开(公告)号：CN101369612A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810143090.4

申请日：2008-10-10

Applicant: 湖南大学

Inventor： 万青 ,  易宗凤 ,  赵斌 ,  周棋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法，其工艺步骤如下：先将p型单晶硅或者多晶硅片在常规扩散炉中进行较低浓度的n型扩散掺杂，获得80～300Ω/□的n型发射极掺杂效果；接着在常规银浆配方的基础上，在浆料中添加质量含量为5％－0.5％的高纯金属锑微粉，充分混合均匀后作为锑掺杂银浆；在电池正面采用丝网印刷工艺印刷锑掺杂银浆电极并烧结。本发明是一种成本低、工艺简单、便于控制，能大规模生产的实现选择性发射极太阳能电池的制作方法。该技术简单实用，完全和现有太阳能电池工艺兼容，能明显提高太阳能电池的光电转换效率，具有广泛的产业化价值。